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第35卷 第8期 稀有金属材料与工程 Vbl．35．No．8 2006年 8月 RAREMETALNmLTERIAI，SANDENGD丁EERING 2006 August 纳米LaF3块体的制备及其热稳定性研究 吴大雄，吴希俊，吕燕飞，王 晖 (浙江大学，浙江杭州310027) 摘要：采用水溶液沉淀法成功制备了晶粒尺寸约为16．7 成纳米LaF3块体。用xRD分析测试了不同退火温度下纳米LaF3块体的晶粒尺寸。结果表明，随着退火温度的升高， 纳米LaF3块体的晶粒尺寸增大，从原始晶粒尺寸16．7nm长大到900℃时的92．6nm。同时在不同升温速率下测量纳米 ev。 LaF3块体的DSC曲线，并由Kissinger方程求得其晶粒长大激活能为2．01 关键词：纳米LaF，块体；热稳定性；晶粒长大激活能：晶粒尺寸 中图法分类号：TB321 文献标识码：A 文章编号：1002．185xr2006108．1247一04 会发生晶粒长大而变成粗晶材料，从而失去了纳米材 1 引 言 料的优越性能。为此必须研究纳米LaF，在升温过程中 氟化物是固体电解质领域重要的研究对象之一， 的热稳定性和晶粒长大规律。另外，氟化物的离子电 很多氟化物都是良好的离子导体[1，2]，具有相当高的离 导率随温度升高而增大，在较高的温度下(例如500 子电导率。纳米晶的氟化物相对传统粗晶的氟化物而 言，其电导率又有大幅度的提高。吴希俊研究组【3，4】 但是过高的温度同样会引起纳米材料发生晶粒长大， 于1993年在国际上率先研制成功纳米CaF2(16nm)，发 因此也需要研究纳米LaF，在升温过程中的热稳定性和 晶粒长大规律以便确定纳米LaR的操作温度。本实验 现在300℃～530℃温度范围内，纳米caF2的离子电导率 比相应的多晶和单晶CaF2分别提高了1个～2个数量级。在不同升温速率下测量纳米LaF，块体的DSC曲线，求 德国Hannover大学Heitians研究组【5，6]于1995年也报道得其晶粒长大激活能。同时利用x射线衍射(XRD)测量 了类似的实验结果。随后，吴希俊研究组又研究了纳 不同退火温度下纳米LaF，块体的晶粒尺寸，分析其晶 粒长大规律。 米PdF2的离子电导率[78】，结果表明纳米PdF2的离子电 导率比相应的粗晶PdF：的离子电导率提高约一个数量 2 实 验 级。可见，制备纳米晶的氟化物是提高氟化物离子电 导率的一条新途径。 2．1 纳米LaF3块体的制备 在所有传统粗晶氟离子导体中，具有氟铈矿结构 LaF3纳米晶的制备主要通过以下的化学反应： 的稀土氟化物的氟离子电导率是最高的[12】，LaF，就是 La(N03)3+3NH4F=LaF3I+3NH4N03 其中之一。因此LaF。常常被用来做掺杂以提高电导率。 mol／L和l 然而对于纳米LaF，离子电导率的研究仍未见报道。本 解，分别配制成O．3 moⅣL的溶液。实验中与 实验采用水溶液沉淀法成功制备了晶粒尺寸为17nm 含氟离子的溶液接触的容器均为聚四氟乙烯材质。在 Pa)压结法 常温搅拌的条件下，将两种溶液迅速混合，搅拌速率 左右