Campbell法研究MgB2临界电流密度.pdf

助 锨 财 井 Campbell法研究MgB2临界电流密度’ 郭志超，索红莉，刘志勇，刘 敏，马 麟 (北京工业大学材料学院，国家教育部功能材料重点实验室，北京100124) in 摘要：PIT(powdertube)法制备了MgB2超导材。 材料；用CampbelI法测量了样品的外加交流磁场b。。2．2 Campbell法原理 与磁通渗透深度A’的关系，并计算得到样品在外磁场 通过测量渗透的磁通可以计算出超导体中由交流 中的临界电流密度；讨论了k—A’，曲线误差形成的原 电场诱导的临界电流密度，称为Campbell法口]。在 因和选取曲线平稳部分为计算有效段原则；Campbell 法测量考虑了样品的整体结构影响电流的特性，得到 磁场的频率变化范围在37～797Hz之间。为了避免 的结果更切合超导材料的实际临界电流密度。 样品形状引起磁化效应，通常对超导柱体或者长的板 关键词： MgB2超导材料；Campbell法；临界电流密 材平行作用一个直流磁场H。和一个小的交流场b。= 度；超导电性 h。coswt，样品内便会出现磁通分布微小变化。利用一 中图分类号：TM26；0511 文献标识码：A 个捕获线圈和一个参考线圈测试出进、出超导样品的 文章编号：1001-9731(2010)10一1810—03 磁通，用垂表示渗透的磁通量，独相应于h。发生微小 1 引 言 的变化融。时的磁通变化[6]。当交流场从h。变化到 h。+Sh。时假定电流密度不发生变化。因而交流电场 超导体的临界电流密度主要受到晶粒尺寸、晶粒 穿透深度可以表示为： 内部的杂质、晶界、各向异性的影响。同高温氧化物超 A7=士．磐 (1) 导体和传统的低温超导体相比，MgB-z超导体的临界 厶‘叩0 On0 电流密度和晶粒连接性有其自身的特性，如果能确定 在微小的h。变化导致30／8h。微分的条件下，半 出影响其临界电流密度和晶粒连接性的主要因素，对 径为R的柱状超导体中，方程(1)有如下形式： 进一步提高其超导性能、促进其大规模的制备和应用 ㈣ 有着非常重要的意义[1．3]。 A7=R[1--(·一瓢1·蓑)i] 超导体临界电流密度常用的两种测试方法，主要 当．：17《R时，方程(2)的右边可以简化为 分为电测量和磁测量。磁测量中常用的方法有直流磁 (2nR,u。)-1 化法(SQUIDmeasurement)[‘]和近年日本研究者创新 子[7]。除了小的h。以外，2-h。的特征可以看作是增 使用的Campbell法口]，由于Campbell法和SQUID 强磁场中的超导体内的磁通分布；横坐标和纵坐标分 measurement使用的原理不同，其测量结果所反映的 别表示超导体内部的磁通密度和磁通穿透深度。因 超导样品的信息也有所不同。本文将通过Campbell 此，由