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SiC掺杂量对DiamondCu复合材料导热性能的影响.pdf
第32卷第3期 粉末冶金技术
2014年6月 Powder Jun．2014
MetallurgyTechnology
导热性能的影响冰
吴磊1’一 徐国良1’ 贾成厂1’一4 陈惠2’ 高鹏1’ 梁栋1’
1)(北京科技大学材料科学与工程学院北京100083)2)(深圳海明润股份有限公司深圳518126)
摘要：
规律及界面性能，提出孤立界面模型。主要阐释孤立界面模型的适用条件、主要内容及定量公式。通过孤立
w·m
掺杂量为15％，此时复合材料的综合性能最优：热导率526．7 ·K，热膨胀系数2．4ppm／K，密度
3．74
g／cm。，节省原料成本近15％。
关键词：Diamond／sic／cu复合材料；孤立界面模型；sic掺杂量；超高压熔渗
EfI℃ctofSiC amountonthethermal
doping conductivity
ofDiamond／Cu
composites
Wu
Lei川，Xu
Guoliang¨，JiaChengchang¨，ChenHui2。，GaoPeng¨，LiangDon91
of
1)(UniversitvScience＆TechnologvBeijing，Beijing，100083)
Industrial
2)(ShenzhenHaimingrunCO．LTD，Shenzhen，518126)
Abstract：Diamond／sic／cu in“ltration
compositeswer。pr。paredbyultrahighpressure(5．5GPa) technique．
the ofthermal with
and difkrentSiC theisolated
Throughstudy conductivityinteI{ac。properties dopingamount，
wa8
inteI{acemodel Themodel maincontentand ofthe were
proposed． conditions， quantitative。quations theory
discussedinthi8 Basedonthis the oflowSiC amountthe the
and of
p8per． model， necessity doping importance
Diamond skeletonwerewellillustrated．Theresultshowsthatthe SiC amountis
bonding
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