P型Cd1-xZnxTe薄膜的制备及性质研究.pdf

光谱学 与 光谱分析 1298 01 3 5 and May，zOl3 第3；卷磐5背年 月 SpectroscopySpectralAnalysis P型Cdl--xZnjTe薄膜的制备及性质研究 赵 宇，江洪超，武莉莉。，冯良桓，曾广根，王文武，张静全，李 卫 四川大学材料科学与工程学院，四川成都610064 摘要采用cu对共蒸发法制备的Cd。一。Zn，Te薄膜进行P型掺杂。用x射线荧光、X射线衍射、扫描电 镜、紫外一可见分光光度计、热探针、四探针和台阶仪研究了不同cu掺杂浓度下Cd。一。Zn。Te薄膜退火前后 的组分、结构、形貌、光学性质及电学性质的变化。结果表明掺cu10％的薄膜在退火后导电类型由P型转 变为N型、电阻率增大了几个数量级；掺铜20％的样品退火后导电类型和电阻率未发生明显改变，退火后 薄膜表面较为均匀完整；掺铜30％的薄膜透过率显著下降到10％以下，退火前后均为P型薄膜。 关键词Cd-一，Zn。Te薄膜；P型掺杂；退火 中图分类号：0657．3文献标识码：A 引 言 1实验部分 1．1 Cd。，Zn，Te(简称CZT)是一种性能优异的Ⅱ一Ⅵ族三CZT：Cu薄膜的制备 元化合物半导体材料，具有闪锌矿立方结构[1]。改变cd卜， CZT：Cu薄膜的制备流程：玻璃衬底(普通显微镜用载 eV Zn。Te中Zn含量，其禁带宽度随z值变化在1．49～2．26 间连续可调[2]。又因其具有吸收系数高，禁带宽度与太阳光 每批样品均沉积5层薄膜，CZT与Cu交替沉积。样品的每 谱相匹配等优点，因此CA·一。Zn。Te多晶薄膜可以用作制备 高效多结太阳电池的顶电池[3]。要制备多结叠层太阳电池， 层CZT厚度相同(100nm)，不同样品通过调整Cu的厚度来 需要对每一层薄膜的性质进行深入的研究，因此对CZT单 调整掺杂浓度。由于Cu膜厚度比较薄，因此所有样品整体 层薄膜的性质进行研究是研究高效多结太阳电池的基础T作 厚度均为300nIn左右。 之一。通过我们前期的研究表明，共蒸发方法制备的CZT薄 首先使用共蒸发装置[91来制备CZT薄膜，真空室(真空 度1014Pa)巾，两个独立的蒸发源分别加热ZnTe 膜的cd：Zn比例为2：3时，其能隙宽度在1．8～2．0eV问， 适合作顶层太阳电池的吸收层材料[4j]，因此以共蒸发制备 都用石英容器，外面绕上加热钨丝。两个蒸发源之问隔有挡 的Cdo。Zno．。Te薄膜为研究对象。设计应用的叠层太阳电池 板，以免互相间对探头有干扰。用两台LHC-2石英膜厚监控 结构为gIass—CdS—CZT_+隧道结一CdS—CdTe一背接触层 一背电极。因为用共蒸发法刚沉积的CZT薄膜的导电类型 仪对两个蒸发源各自进行薄膜厚度和沉积速率的在线监控， 薄膜监控厚度与台阶仪测量厚度进行比对校准。蒸发源和衬 为本征型[6]，因此需要通过掺杂得到P型CZT薄膜与N型 CdS形成PN结。又考虑到在上述叠层太阳电池的制备过程底之间装有可移动挡板，以防止原料加热放出的气体和易挥 发杂质污染衬底。衬底温度利用系统的烘烤灯管进行加热。 中，CZT薄膜沉积完毕后再进行CdTe制备时会经受一个高 CZT沉积完毕后紧接着沉积Cu，蒸发装置同CZT的共 温过程(约400℃)[7]，因此将