SiNx和SiNxSiOx薄膜的荧光和红外吸收光谱研究.pdf

研究摄告 SiN×和5iN×／SiO×薄膜的荧光和红外吸收光谱研究 纪红萱 陈卫东徐明 (四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所低维结构物理实验室 成都610068) 热处理后有非常强的光致发光，当退火温度为8000C时发光强度达到最高。傅立叶红外 吸收研究表明，直接生长在si(100)的SiN，薄膜在退火后氧化程度略有增加；而SiN；／ SiO，薄膜在高温热处理后氧化程度明显升高，但过高温度的退火会导致Si—N键显著减 少。分析认为SiN；／SiO，薄膜的发光与Si—N键和Si—O键密切相关。 关键词 SiN， 薄膜SiO，光致发光红外吸收 引言 底，基片放入溅射室前先用酒精和丙酮在超声波清洗 硅材料成本低廉，生产工艺成熟，在微电子学的 应用最为广泛(90％以上)，但是由于晶体硅为间接的，射频功率为500W，反应气流保持在N：：船：H：= 带隙结构，发光效率极低，在光电子方面的应用几乎 6．4：35．2：9．6 不可能。1990年Canham【l’报道多孔硅(PSi)在室 温下较强的光致发光现象，掀起纳米硅基发光材料 研究的热潮。但在应用方面，PSi结构的发光稳定 性还不太好，而且容易碎裂，不利于进一步的器件 应用。最近几年，利用离子植入法，共溅射法，激光 (CVD)生长的。 烧结等制备嵌镶于SiO：网络中的硅纳米晶结构引 起人们的重视，在这种硅纳米结构也观察到较强的 充有氮气保护气体的管式退火炉中在650—1200℃ 光致发光。制备如此硅纳米结构的工作已有不少报 高温中退火20min。所有样品都用带有氩离子激光 道，虽然这样的结构与现代硅技术也完全兼容，但 其发光稳定性和效率如何，尚需进一步研究。 致发光，入射光束能量为10mW。用傅立叶红外光 Elmer 已研究过的硅基材料而言，非晶硅、微晶硅、a— (FTIR)谱仪(PerkinSpectrumOn)表征薄膜 SiO，，a—SiN；等材料在室温下均已实现光致发 光心“]。其中SiN。可能是改善硅基发光性能的较4cm～。 好替代系统¨’6】。这是因为，一方面，si，N。的带隙 2结果与讨论 高达5．3eV，是很好的纳米硅的限制层材料；另一 方面，N的引入能够减小Si／SiO：界面的应变，有 nm 利于提高硅基材料的发光效率。最近，研究含有 退火前后最大发光强度(发光峰位于600—630 之间)随温度的变化。可以看到，直接生长在Si SiO；缓冲层的SiNx薄膜的光致发光，并在650℃以 上的高温热处理后观察到强的荧光发射¨J。本工 作将针对光致发光的SiN。薄膜(特别是含有SiO， 后有非常强的光致发光，其发光强度在退火温度为 缓冲层的SiN：薄膜)，利用傅立叶红外吸收(FTIR) 谱分析化学结构对SiN；薄膜发光的影响。 缓冲层，在650℃以上的高温热处理后也能观察到 1实验部分 明显的可见光发射，作者在另文中进行详细讨 SiN。薄膜是在真空射频磁控溅射系统中制备的， 论‘81。 17 万方数据 现代仪器(m删．moderninstrs．