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2015-09-11 发布于重庆
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第 27 卷　第 9 期半　导　体　学　报 Vol . 27 　No . 9 2006 年 9 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Sep . ,2006 60 Si Ge HBT Co γ射线辐照效应及退火特性 1 ,2 , 1 1 1 ,2 1 ,2 牛振红　郭　旗　任迪远　刘　刚　高　嵩 ( 1 中国科学院新疆理化技术研究所 , 乌鲁木齐　8300 11) (2 中国科学院研究生院 , 北京　100039) ( ) 60 γ ( ) ( ) 摘要 : 研究了国产 Si Ge 异质结双极晶体管 HB T Co 射线 100 Gy Si ～10k Gy Si 总剂量辐照后的辐照效应 ( ) 及辐照后的退火特性. 测试了辐照及退火后的直流电参数. 实验结果显示 , 辐照后基极电流 Ib 明显增大 , 而集电 ( ) (β ) 极电流 I 基本不变 ,表明 I 的增加是电流增益退化的主要原因. 退火结果表现为电流增益 = I / I 继续衰降, c b c b 表明Si Ge HB T 具有“后损伤”效应. 对其机理进行了探讨 , 结果表明其主要原因是室温退火中界面态继续增长引起的. 关键词 : Si Ge 异质结双极晶体管; 电离辐射; 退火; 后损伤效应 PACC : 6 180 E 　　　EEACC : 2560J 中图分类号 : TN 323 + 4 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 165 Gy ( Si ) / s , 分别在 100 , 200 , 500 , 1000 , 2000 , 1 　引言 5000 ,10000 Gy ( Si) 总剂量辐照后测量了其电参数 , β 包括集电极电流 Ic ,基极电流 Ib , 电流增益 . 测试早在 20 世纪 50 年代 , Kr oe m e r 就提出了采用 ( ) 仪器为 H P4 142B 电压电流源/ 表、H P16088B 宽禁