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光作用下外延掺锰铁酸铋薄膜的铁电和输运性质
光作用下外延掺锰铁酸铋薄膜的铁电和输
运性质#
1 1 2 1**
彭增伟 ，朱慧娟 ，王晋峰 ，刘保亭
5 （1. 河北大学物理科学与技术学院，保定 071002；
2. 中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所，南京 210042 ）
摘要：本文采用溶胶-凝胶的方法在(001)取向的 SrRuO3/SrTiO3(SRO/STO)异质结上制备了
外延BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜，并构架了ITO/BFMO/SRO 型电容器。X 射线衍射(XRD)
10 分析发现BFMO 薄膜为良好的外延生长。研究表明，当波长为404nm 的紫光入射到电容器
表面，薄膜的漏电流密度变大，当测试电压为5V 时，无光和光照时的漏电流密度分别为2.92
和 10.10mA/cm2。在紫光照射下，外延BFMO 薄膜的电滞回线发生变化，这是由于光照在
薄膜内部产生光生载流子的缘故。通过对电流密度的拟合发现：欧姆传导行为为外延BFMO
薄膜主要的漏电机制，光照并没有改变ITO/BFMO/SRO 型电容器的导电机制
15 关键词：光照；外延BiFe0.95Mn0.05O3 薄膜；铁电性；输运性质
中图分类号：O59
Investigation on Ferroelectricity and Transport Process of
Epitaxial BiFe0.95Mn0.05O3 Film with Illumination
1 1 2 1
20 PENG Zengwei , ZHU Huijuan , WANG Jinfeng , LIU Baoting
(1. College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China;
2. Nanjing Institute of Astronomical Optics Technology, National Astronomical Observatories,
Chinese Academy of Sciences, Nanjing 210042, China)
Abstract: Epitaxial BiFe0.95Mn0.05O (BFMO) film had been fabricated on
25 (001)-SrRuO3/SrTiO3(SRO/STO) via sol-gel method, and a capacitor with a structure of
ITO/BFMO/SRO was constructed. X-ray diffraction (XRD) showed that well-crystallized
epitaxial BFMO film was obtained. It was found that the leakage current density of
ITO/BFMO/SRO capacitor is 2.92 and 10.10 mA/cm2 with and without illumination, respectively.
Additionally, Illumination induced variation in the hysteresis loop of ITO/BFMO/SRO capacitor,
30 which can be explained by photo-induced carrier due to illumination.
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