北京正负电子对撞机次级束模拟质子单粒子效应分析.pdfVIP

　第33卷第2期 原 子 能 科 学 技 术 . 33, . 2 V o l N o 　1999年3月 A tom ic Energy Science and T echno logy M ar. 1999 北京正负电子对撞机次级束模拟 质子单粒子效应分析 贺朝会　李国政 ( 西北核技术研究所, 西安, 710024) 刘恩科 ( 西安交通大学微电子工程系, 710049) 首次从利用高能电子打靶产生的质子进行半导体器件的单粒子效应(SEE) 实验研究的角度 分析了北京正负电子对撞机( ) 次级束中的质子的能量范围和产额, 计算了 3 种途径下高能 BEPC 电子打靶产生的质子的能量范围, 估算了反应截面。研究表明: 选取重核做靶可以不同程度地提高 2 d Y - 3 - 1 - 1 - 1 质子产生截面, 质子的微分产额( ) 可达 1. 66 ×10 · · 。可以用 次级束 s sr eV BEPC dE d ( - 8 2 ) 中的质子做翻转截面比较大 = 10 的半导体器件的单粒子效应实验研究。 cm 关键词　质子　单粒子效应　半导体器件　北京正负电子对撞机 中图法分类号　 572. 214　 422. 1 O P 卫星在轨道运行期间一直处在带电粒子构成的空间辐射环境中, 带电粒子造成的单粒子 效应(SEE) 是影响卫星可靠性和寿命的主要因素之一。空间辐射环境中的带电粒子主要由高 能质子、、重核粒子等组成, 它们都能引起单粒子效应。在空间辐射环境中, 质子, 尤其是高能 质子占有相当大的比例。因此, 研究高能质子的单粒子效应尤为重要。用于研究质子单粒子效 应的实验室模拟设备主要是高能质子加速器。国外有几十M eV 至 5 GeV 的质子加速器, 而我 国能量最高的质子加速器为中国科学院高能物理研究所的 35 M eV 质子直线加速器, 远不能 满足需要。所以, 开发高能质子源十分迫切。北京正负电子对撞机(BEPC ) 试验束的次级束中 包含质子, 其中能量约为 100M eV 的质子占有很大比例。因此, 用BEPC 次级束中的质子束作 为辐照源对半导体器件进行质子单粒子效应辐照实验可能是可行的。 1　BEPC 次级束用做质子单粒子效应研究的初步分析 [ 1 ] ( ) ( ) BEPC 试验束 是从其注入器 电子直线加速器 引出高能电子束 初级束 , 通过打靶产 生次级束。试验束的主要指标如下: 初级束能量 11 GeV , 流强 50～ 600 mA , 脉冲宽度2. 5 n s, 贺朝会: 男, 31 岁, 抗辐射加固专业, 在读博士生, 助理研究员 收稿日期:收到修改稿日期: 176