Hspice 第三、四章.ppt

目 录 3.1 简介 3.2 元件、集成电路的模拟特性 3.3 模拟技巧探讨 3.4 集成电路设计层次的考虑 3.5 电路及模型温度考虑 3.6 电路实例探讨 3.1 简介 目的：了解运用Hspice仿真元件、集成电路的流程、技巧，以及需注意的问题。 3.2 节点、集成电路及系统模拟特性 元件模拟特性 调用元件来自于工艺库，网表通过.lib命令加载工艺库文件； 3.2 节点、集成电路及系统模拟特性 仿真元件的I/V特性曲线，获得参数值方便后续计算仿真； 集成电路模拟特性 单一晶圆上，采用同一个工艺文件进行模拟 通过Hspice的分析能力辅助设计者对电路参数做最佳调整 系统模拟特性 集成电路设计重在晶体管级电路的使用； 通过.lib、.inc、.option search=‘lib_directory’等命令加入工艺库和已经编译好的网表文件； 运用.param命令提供代数运算； 对工艺制作过程中出现的各种偏差做蒙特卡罗分析和工艺角分析，通过运用.alter； 对输出波形关键数据测量辅助分析。 3.3 模拟技巧探讨 例，通过CMOS反相器说明.param,.alter的使用技巧 3.3 模拟技巧探讨 ***( CMOS inverter-ch3_1.sp) *** .param wn=5u wp=16u l=1.0u +vdd=5v *************************** vd vcc 0 dc vdd M1 n2 n1 vcc vcc pch W=wp L=l M2 n2 n1 0 0 nch W=wn L=l .model pch pmos level=2 .model nch nmos level=2 vs n1 0 dc 1 *mos描述 *mos模型描述 *定义变量 3.3 模拟技巧探讨 *** object *** .dc vs 0 5 0.01 .print dc v(n2) I(m2) .alter .param wp=4u .alter .param wp=6u *.alter命令变换元件参数， 重新执行分析命令 .alter .param wp=8u .alter .param wp=10u .alter .param wp=12u .option post .end 目的：集成电路设计的必要认识和设计思路 假设基本前提条件 整个电路是处在同一模拟温度环境（Hspice默认温度25℃）； 整个电路是位于同一晶粒，模型参数会以同一方向递增或递减； 模拟分析重在实际电路设计，包括晶体管大小、电路速度、功耗及性能之间的最佳化。 3.4 集成电路设计层次的考虑 IC设计者使用环境 运用Hspice的目的是使模拟电路性能达到最佳； Hspice的使用环境； 3.4 集成电路设计层次的考虑 Input Requests .circuit parameters .circuit temp .circuit stimulus analysis .dc sweep .transient .AC/Pole/Zero Model selection .lib .inc .case selection Spice Execution Circuit Stimulus Delay Calculation Speed/Power Optimization Analog Performance Optimization Result Analysis .post Graphical Processing Design Review/Modifications .Parameterized .circuit netlist .Macro Circuit Definition 输入需求 分析需求 结果分析，图形处理 设计检查与修正 性能优化 电路层次模组化 将常用的网表写在一个网表文件中，通过.inc命令调用； 重复出现的电路通常写成子电路，重复调用； 仿真模型通常来自库文件，例如，nmos_3p3,nmos_lv等； 用模型漂移参数来预测电路性能。 3.4 集成电路设计层次的考虑 3.5 电路与模型的温度考虑 实际应用中除了电路所处的环境温度影响，还受元件自身温度影响； 模型参考温度备调用； 元件接面温度； 环境温度。 仿真中通过设置参数将主要温度因素的影响考虑在内 例如，m1 d g s b nch w=10u l=1u dtemp=20 ,其中dtemp表示界面温 度与环境温度之差，例中、m1界面温度比环境温度高20 ℃ 例3.0 如图，m1,m2为大小相同的两个mos管（w/l=40u/4u）,但是所处温度环境不同（m1,室温25℃；m2,有可能比m1高20℃