8第八章_金属和半导体的接触.pptVIP

阻挡层具有整流作用 对p型阻挡层 V0, 金属负偏，形成从半向金的正向电流 V0, 金属正偏，形成反向电流 1. 厚阻挡层的扩散理论 对n型阻挡层，当势垒的宽度比电子的平均自由程大得多时，电子通过势垒区要发生多次碰撞。 当势垒高度远大于 kT 时，势 垒区可近似为一个耗尽层。 厚阻挡层 须同时考虑漂移和扩散 0 xd x q?ns EF 0 0 V En=q?n 耗尽层中，载流子极少，杂质全电离，空间电荷完全由电离杂质的电荷形成。 这时的泊松方程是 若半导体是均匀掺杂的，那么耗尽层中的电 荷密度也是均匀的，等于qND。 { 0 – 势垒宽度 V与(Vs)0同号时，势垒高度提高，势垒宽度增大 厚度依赖于外加电压的势垒，叫肖特基势垒。 考虑漂移和扩散，流过势垒的电流密度 V0 时，若 qVkT, 则 V0 时，若 ?qV? kT, 则 JsD 随电压变化，不饱和 金属半导体接触伏安特性 V I 扩散理论适用于 迁移率小的半导体 计算超越势垒的载流子数目（电流）就是热电子发射理论。 2. 热电子发射理论 N型阻挡层很薄时: ?电子的平均自由程远大于势垒宽度， 扩散理论不再适用. ?电子在势垒区的碰撞可忽略，势垒高度起作用 以n型阻挡层为例，且假定势垒高度 电子从金属到半导体所面临的势垒高度不随外加电压变化。从金属到半导体的电子流所形成的电流密度J m ? s是个常量，它应与热平衡条件下，即V=0时的 J s ? m大小相等，方向相反。因此， 有效理查逊常数 热电子向真空发射的有效理查逊常数 由上式得到总电流密度为： Ge, Si, GaAs的迁移率高，自由程大，它们的 肖特基势垒中的电流输运机构，主要是多子 的热电子发射。 热电子发射理论得到的伏－安特性与扩散理论 的一致。 3. 镜象力和隧道效应的影响 锗检波器的反向特性 若电子距金属表面的距离为x，则它与感应正电荷之间的吸引力，相当于该电子与位于(–x)处的等量正电荷之间的吸引力，这个正电荷称为镜象电荷。 在金属–真空系统中，一个在金属外面的电子，要在金属表面感应出正电荷，同时电子要受到正电荷的吸引。 （1）镜象力的影响 + - 镜象电荷 电子 –x′ n x 镜 象 电 荷 这个吸引力称为镜象力，它应为 把电子从x点移到无穷远处，电场力所做的功 半导体和金属接触时，在耗尽层中，选(EF)m 为势能零点，由于镜像力的作用，电子的势能 qΔΦ qΦns (EF)m 0 无镜象力 有镜象力 xm 镜象势能 平衡时镜象力对势垒的影响 x 电势能在 xm 处出现极大值，这个极大值发生在作用于电子上的镜象力和电场力相平衡的地方，即 若 , 从上式得到 势垒顶向内移动，并且引起势垒的降低 q ? ? 。 势能的极大值小于qΦns。这说明，镜象力使 平衡时， q ? ? 很小，可忽略 外加电压非平衡时， 势垒极大值所对应的x值 当反向电压较高时，势垒的降低变得明显，镜象力的影响显得重要。 势垒的降低量 镜象力所引起的势垒降低量随反向电压的增加 而缓慢地增大 * * 上式表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小值。 金属中的电子势阱 EF Wm 越大, 金属对电子的束缚越强 在半导体中，导带底 EC 和价带顶 EV 一般都比 E0 低几个电子伏特。 半导体功函数的定义: 真空中静止电子的能量 E0 与 半导体的 EF 能量之差，即 Ws 与杂质浓度有关 E0 EC EF EV ? Ws 电子的亲合能 2.接触电势差 Ev ? Ws (a) 接触前 半导体的功函数又写为 D ? （b）间隙很大 (D原子间距) 金属表面负电 半导体表面正电 Vm: 金属的电势 Vs?: 半导体的电势 平衡时, 无电子的净流动. 相对于(EF)m, 半导体的(EF)s下降了 接触电势差: 金属和半导体接触而产生的电势差 Vms. ? （c）紧密接触 ?半导体表面有空间 电荷区 ?空间电荷区内有电场 ?电场造成能带弯曲 E + _ 因表面势 Vs 0 ?能带向上弯曲 qVD 接触电势差一部分降落在空间电荷区, 另一 部分降落在金属和半导体表面之间 若D?原子间距, 电子可自由穿过间隙, Vms?0, 则接触电势差大部分降落在空间电荷区 （d）忽略间隙 qVD 半导体一边的势垒高度 金属一边的势垒高度 ?半导体表面形成一个正的空间电荷区 ?电场方向由体内指向表面 (Vs0) ?半导体表面电子的能量高于体内的，能 带向上弯曲，即形成表面势垒 当金属与n型半导体接触 WmWs 在势垒区中，空间电荷主要由电离施主形成， 电子浓度要比体内小得多，因此它是一个高 阻的区域