实验二 3_RAM62256存储器的应用.pptVIP

实验目的 熟悉RAM62256的管脚功能。掌握随机存储器的性能及使用方法。 实验内容 1. 对RAM62256中的存储单元进行写入操作。（存储单元从000～111） 2. 读出RAM62256存储单元中的内容。（用发光二极管显示状态） 3. 选做：用RAM62256随机存储器设计一个4循环彩灯电路。 实验器件 RAM62256 、 发光二极管、拨码开关 32k×8位静态随机存储器RAM62256 A0～A14：地址输入端； I/O1～I/O8：数据输入 /输出端； WE：写使能输入端； OE：输出使能输入端； CS：片选输入端； Vcc：电源（ 5V ） Vss：地 RAM62256引脚功能 实验原理图 数据记录表格 实验中应该注意的问题 1. 把地址线A2~A0、数据线I/O3 ~ I/O1 、读写信号线OE WR分别按顺序连接到几个拨码开关上，同时连接到发光二极管上来指示信号电平的高低。 2. 写入数据时先置OE 、 WR信号为高电平，正确设置地址和数据后，拨动WR开关，顺序为高—低—高，依次往前8个RAM单元中写入数据00H~07H 3. 读出数据时必须首先将数据线与拨码开关断开，但数据线仍需要和发光二极管相连，依次改变地址线A2~A0，观察并记录读出的数据I/O3 ~ I/O1 。 4. 如果读出数据时发现个别地址的数据不正确，只需要对此地址重新写入数据，不需要所有的地址全部重写。 思考题 1．RAM62256有多少条地址线？有多少条数据线？有多少个存储单元 ？ 2．实验中写入RAM数据后，当读数据时会发现某些单元的数据变化了，为什么？ 3．如何使用RAM62256构成64K的静态数据存储器？ * * 写 输入 L X L 读 输出 H L L 输出无效 高阻 H H L 片选无效 高阻 X X H 功能 I/O1～8 WE OE CS RAM62256 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14 CS 10 9 8 7 6 5 4 3 25 24 21 23 2 26 1 20 I/O1 … I/O8 OE WE H L 11 12 13 15 16 17 18 19 22 27 状态显示 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 I/O3 I/O2 I/O1 （读出） I/O3 I/O2 I/O1 （写入） A2 A1 A0 （地址） 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ *