数第2章 门电路.pptVIP

西华师范大学 岳淼 MOS管结构 MOS管导电通路 MOS三极管非门 平均传输延迟时间tPd tPHL输出由高电平变为低电平的时间 tPLH输出由低电平变为高电平的时间 抗干扰能力 (1)输出高电平值VOH 典型值：3.6V VOH(min) =2.4V (2)输出低电平值VOL 典型值：0.3V VOL(max) =0.4V 输入端噪声容限 (3)输入高电平值VIH VIH(min)=VON=2.0V 保证输出为低电平的最小输入高电平 (4)输入低电平值VIL VIL(max)=VOFF =0.8V 保证输出为高电平的最大输入低电平 v I v O 0 3.6V 0.3V 2.4V 0.4V V OFF V ON (5)噪声容限 VNH= VOH(min) – VIH（min） VNL= VIL（max）– VOL(max) tPd=(tPHL+ tPLH)/2 0.3V 1.0V 3.6V T2，T5截止 有一个输入端输入低电平 T4 ， D3导通 TTL与非门 2.1V 3.6V 3.6V T2饱和, T5深度饱和 0.7V 1.0V T3，T4截止 0.3V 两个输入端都输入高电平 功能表 真值表 逻辑表达式 输入有低，输出为高； 输入全高，输出为低。 74LS00内含4个2输入与非门，74LS20内含2个4输入与非门。 TTL非门、或非门 ①A=0时，T2、T5截止，T3、T4导通，Y=1。 ②A=1时，T2、T5导通，T3、T4截止，Y=0。 TTL非门 只有一个输入端 TTL或非门 TTL系列集成电路 ①74：标准系列，前面介绍的TTL门电路都属于74系列，其典型电路与非门的平均传输时间tpd＝10ns，平均功耗P＝10mW。 ②74H：高速系列，是在74系列基础上改进得到的，其典型电路与非门的平均传输时间tpd＝6ns，平均功耗P＝22mW。 ③74S：肖特基系列，是在74H系列基础上改进得到的，其典型电路与非门的平均传输时间tpd＝3ns，平均功耗P＝19mW。 ④74LS：低功耗肖特基系列，是在74S系列基础上改进得到的，其典型电路与非门的平均传输时间tpd＝9ns，平均功耗P＝2mW。74LS系列产品具有最佳的综合性能，是TTL集成电路的主流，是应用最广的系列。 三、OC （集电极开路）门及TSL（三态）门 Y1 =1,Y2=0 流过T4,T5的电流很大 “线与” 线与：实行两个输出Y1,Y2相与 A2 B2 Y2 +5V T 1 T 2 D 3 T 4 T 5 R 1 R 2 R 3 R 4 4k 1.6k 130 W 1k A1 B1 Y1 +5V T 1 T 2 D 3 T 4 T 5 R 1 R 2 R 3 R 4 4k 1.6k 130 W 1k Y 为解决一般TTL与非门不能线与而设计的，VCC、R决定电流。 OC（集电极开路）门 TSL （三态）门 ①EN＝0时，p＝0，T2、T5均截止，导通的二极管将电位钳在低电平，使T4以及右边的二极管截止，输出端对地对电源都是断开的，相当于开路，电路处于高阻状态。 结论：电路的输出有高阻态、高电平和低电平三种状态。 p ②EN＝1时，二极管D截止，输出取决于输入A、B的状态，输出与输入的逻辑关系: TSL（三态）门的应用： ③构成数据总线：让各门的控制端轮流处于低电平，即任何时刻只让一个TSL门处于工作状态，而其余TSL门均处于高阻状态，这样总线就会轮流接受各TSL门的输出。 ①作多路开关：E=0时，门G1使能，G2禁止，Y=A；E=1时，门G2使能，G1禁止，Y=B。 ②信号双向传输：E=0时信号向右传送，B=A；E=1时信号向左传送，A=B 。 2.4 CMOS集成门电路 简单回忆MOS管工作过程。 栅、源之间没有电流通过。它们之间有SiO2隔离。以NMOS为例： 在栅源之间加上电压VGS，使得漏源之间产生导电沟道，在VDS下，通过外部负载和导电沟道形成回路，形成漏源电流ids。 VTN=2V MOS管主要工作在截止区和非饱和区。 2.4 CMOS集成门电路 CMOS反相器 可以看出： 无论VI是高电平还是低电平，T1、T2总是工作在一个导通，一个截止。即所谓互补状态。 CMOS电路称为“互补对称式金属—氧化物—半导体电路” Complementary—Symmetery Metal—Oxide—Semiconductor Circuit 特点：不论何时T1、T2总有一个截止，而且截止内阻很高，流过T1、T2静态电流很小。因此，COMS电路静态功耗很小。 2.4 CMOS集成门电路 输入特性 低电平输出