数字电路-第二章-门电路.pptVIP

三态门在复杂的数字系统（如计算机系统）中，为了减少各单元电路之间连线的数目，希望能在同一条导线上分时传递各单元电路的输出信号。可采用图示的总线结构连接方式。图上G1~Gn均为三态与非门。 工作时控制各个门的EN端轮流等于1，而且任何时候仅有一个等于1，就可以把各个门的输出信号轮流送到公共的传输线——总线上而互不干扰。这种连接方式称为总线结构。 数字逻辑电路电子教案西北大学信息学院 利用三态门还可以实现数据的双向传输，图示，当EN=1时，G1工作，G2门呈高阻状态，则DO经过非运算后输出到总线。 EN=0时 ，G1是高阻态，G2门工作，则总线上的数据经G2非门输出至DI端。 数字逻辑电路电子教案西北大学信息学院 为了满足用户在使用方面的要求，TTL门电路出现更多结构的电路来改进参数。总体上有两个目的：一是提高工作速度，二是降低电路的功耗。常用的各系列TTL门，其性能上的特点列图所示。 功耗和速度是衡量一个门电路性能的主要指标，定义功耗和传输延迟时间的乘积M，简称功耗——延迟积。 P为门电路的功耗（mW），tpd为平均传输时间（ns）， M单位是皮焦（PJ）。M值越小，门电路质量越好。 数字逻辑电路电子教案西北大学信息学院 数字逻辑电路电子教案西北大学信息学院 数字逻辑电路电子教案西北大学信息学院 CMOS门电路 集成电路中广泛应用的另一类晶体管是金属氧化物半导体晶体管，简称MOS（Metal Oxide Semiconductor ）晶体管。 CMOS反相器工作原理 T1为PMOS管，T2为NMOS管。两管参数相同。栅极G1、G2连在一起作反相器输入端，漏极D1、D2连在一起作反相器的输出端，源极S1接电源VDD，源极S2接负电源VSS一般接地。VDD数值需大于T1管的开启电压VSG（th)和T2管的开启电压VGS(th)之和。 数字逻辑电路电子教案西北大学信息学院 当 为低电平（0V）时， T1管导通，导通电阻很小（小于1kΩ）， T2管截止，其截止电阻很高（ ~ Ω），电路输出为高电平 当 为高电平（VDD）时， T1管截止，T2管导通，电路输出为低电平 输出与输入之间为逻辑非的关系，实现非运算。 数字逻辑电路电子教案西北大学信息学院 设CMOS反相器中T1和T2截止电阻R OFF和导通电阻RON均相同。则电路的输出电压 随输入电压 的变化关系，称为电路的电压传输特性。漏极电流 随输入电压 的变化关系称为电流传输特性。 无论是高电平还是低电平，T1和T2总是一个工作在导通状态而另一个工作在截止状态，是互补的，所以称这种电路结构为互补对称式金属——氧化物——半导体电路（Complementary –Symmetery Metal –Oxide-Semiconductor Circuit，简称CMOS电路）。 电压传输出特性和电流传输特性 数字逻辑电路电子教案西北大学信息学院 则T1导通，导通内阻很小，T2管截止，截止电阻很大，经过分压后输出电压为高电平。 AB段： CD段： 则T1截止，截止内阻很大，T2管导通，导通电阻很小，经过分压后输出电压为低电平 。 数字逻辑电路电子教案西北大学信息学院 则T1、 T2管同时导通，如果T1和T2的参数理想对称，则当 时两管的导通内阻相等， ，此时漏极电流 最大。 BC段： 观察电压传输特性曲线发现，COMS反相器在 左右处，输出电压随输入电压急剧下降，称该区为反相器的转折区，其中点的输入电压值定义为CMOS反相器的阈值电压 数字逻辑电路电子教案西北大学信息学院 观察电流特性曲线，在BC段，由于T1、 T2管同时导通，漏极电流比较大，而且 附近时 最大。为了降低功耗，使用CMOS器件时不应使之长时间工作在BC段，以防止器件因功耗过大而损坏。 静态下 无论是高电平还是低电平，T1和T2总是一个工作在导通状态而另一个工作在截止状态，截止电阻又极高，流过T1和T2的静态电流极小，因而CMOS反相器的静态损耗极小。这是CMOS电路最突出的一大优点。 数字逻辑电路电子教案西北大学信息学院 输入端噪声容限 COMS反相器电压传输特性表明，电路输入端噪声容限比较大。国产CC4000系列CMOS电路的性能指标中规定，在输出高、低电平的