AlN薄膜择优取向生长机理及制备工艺.pdfVIP

宽带隙半导体AIN薄膜的制备及应用 廖克俊 ，王万录 (重庆大学应用物理 系，重庆 400044) 摘要 ：A1N是一种宽带隙半导体 ．它具有高温稳定性、高热导率、高弹性模量、非毒性 ．并且具有 能M半导体到绝缘体的性质变化等优异的物理性质 本文主要介绍 了A1N薄膜的制备方法和应用，也给 出了 今后有持进一步解决的问题。 关键词 ：A1N薄膜 ：宽带隙半导体 ：应用 中图分类号 ：TN304055 文献标识码 ：A 文章编号 ：1003—353X(2001)01—0021一O3 PreparationandapplicationofAIN filmswith widebandgapsemiconductor LIAOKe—jun，WANGWan—lu (DepartmentofAppliedPhysics，ChongqingUniversity．Chongqing 400044，China) Abstract：Aluminumnitride(A1N)isawidebandgapsemiconductorandithasacombinationof interestingphysicspropertiessuchashightemperaturestability，highthermalconductivity，highelas— ticstiffness，non—toxicandvaryingelectricalpropertiesfrom semiconductingtOinsulating In this paper，thedepositiontechniquesandapplicationsofAIN filmsaremainlyintroduced．Somequestions inthefutureresearchareanalyzed． Keywords：AIN films；widebandgapsemiconductor；application 1 引 言 2 AIN薄膜制备方法 宽带隙III．V族氮化物如A1N，GaN和 InN是 A1N薄膜制各方法很多，主要有化学汽相沉积 高温和光 电子器件最重要的材料，其中AIN具有许 (cvD)、反应分子束外延(MBE)、金属有机化合 多优异的物理化学性质 。室温下AIN的平衡形态 物CVD(MOCVD)、等离子体辅助CVD、激光化 是 …种六方纤锌矿结构 ，其 晶格常数a=0．3112rim 学汽相沉积(LCVD)、脉冲激光沉积(PLD)和反应 和c=0．4982rim 但也发现有亚稳态 的闪锌矿和 磁控测射等。下面只介绍几种主要的方法。 NaCl结构的A1N。AlN具有直接带隙6．2eV， 2．1低压金属有机化台物汽相沉积(LP—MOCVD)[s] 所 以是一种绝缘体 。它还具有大 的热导率 (320W · m--K )、高 的热稳定性 (直到220O℃)、高 电阻 这种方法适于A1N膜异质外延生长。对外延生 率 (10 Qc·m)、高介质强度 (14kV·mm--)和高化 长来说衬底 的选择十分重要 目前在 A1…O SiC 学稳定性 “】。因而它在微 电子学领域特别是高 和 si上生长外延单晶A1N是成功的 然而AIN和 温 电子器件、光 电子元件和 电子封装等方面有广 A1O 及si之间存在着较大 的晶格失配率，它们分 阔的应用前景。所 以近几年来对其研究引起了人 别为 14％和23％，而A1N和 SiC之间晶格失配率 们的极大关注 。下面简单介绍它的几种主要制各 只有 1％，所 以sic是最佳的衬底材料。通常反应 技 术和应用。