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DRAGON_M ESD 的分析及对策
袁丁
2004年11月12日
一. 背景
项目名称:Dragon-M 客户:三菱 测试条件:13千伏
二. 问题描述
T1 PRT 试验中,大小LENS 处ESD 13千伏失败 :
1.小 lens 处,静电通过金属装饰件以及内部金属零件进入手机内部.同时击
穿了1MM宽度的空气;
2.大lens处,静电通过金属装饰件以及背胶(无基胶带)进入手机内部.
三. 原因分析
金属装饰件与LCD之间没有有效隔断,在大lens处因为采用的无基胶带,材料
疏松,没有能够有效阻断静电,小LENS处,因为在B2B connector之上,为保证
连接的可靠性,增加了一片钣金件来压住 CONNECTOR,从而外面的电流通过金
属装饰件,击穿空气,传到钣金件上,进入到手机内部
四. 解决措施
1. 尽量将外部电流接地;
2. 粘贴LENS的胶带换用阻断性好的胶带
3. 增加LCD铜箔,将LCD整个包裹起来.
4. 在大LENS处缓冲垫上增加一层铜箔,接地.
五. 预防方法
做结构设计时候需要和硬件工程师共同分析,因为 ID 通常会作出很多金属装
饰件,所以需要在评估 ID 的时候硬件工程师都参与,外部金属装饰品需要和
内部器件完全隔断,无法隔断必须接地,同时要预先考虑到一旦出现失败的现
象是否有合适的对策.
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