嵌入式SRAM的可测性设计研究 电路与系统 205川95 徐故
摘 要
随着信息技术的发展,设计越来越复杂,给AsIC芯片的生产带来比较大的
挑战,特别是芯片的管脚逐渐增加,降低了芯片的成品率。如何尽早地发现芯片
生产过程中造成的缺陷已成为一个棘手的问题,需要一种好的测试方法来解决这
个问题以缩短推向市场的时间。嵌入式存储器是SOC系统中集成密度最高的器
件,而存储器又是对制造过程中存在的缺陷最敏感的器件之一,各种类型的嵌人
式存储器在当前的SOC设计中被广泛应用,占用了SOC系统大部分面积。为确
保存储数据的可靠性,针对存储器做迅速而高效的测试是不可或缺的,因此如何
对嵌入在SOC系统中的存储器进行完备的测试成为急需解决的课题。
本文的研究即是针对 SOC系统中的嵌入式存储器的可测性设计问题进行
的,主要包括了以下几方面的工作:
首先讨论了SOC系统尤其是其中的嵌入式存储器的可测性的重要性和主要
的测试方法,并对这几种测试方法的优缺点进行比较和总结,进而得出MBIST
是当前嵌入式存储器测试最主流最高效的方法的结论。
然后针对5〕《C系统中常用的SRAM存储器介绍了MBIST的概念,并结合
SRAM结构中存在的各种故障
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