高压低温制备硅材料的性能研究.pdfVIP

丝 笙 丝 壁—————鲨哩型韭塑!旦堕 一!!! 高压低温制备硅材料的性能研究’ 廖华12，林理彬1，刘 强1，刘祖明2，陈庭金2 (1．四川大学物理系．辐射物理及技术国家教育部重点实验室-四川成都610064 2云南师范大学太阳能研究所．云南昆明650092) 摘要： 研究了用高压低温法制备的硅材料的性能。进行了 另外．此方法制备的陶瓷硅材料可作为衬底材料生长多晶 不问的温度条件下制备陶瓷硅材料的实验研究，获得了最佳的 硅薄膜．制备太阳电池。用硅作为村底材料具有许多优点：首 制苷务件。用xRl)分析了材料的物相f珂基采德法测量了棚备先．衬底是耐高温材料．可适应高温工艺(可以获得太晶粒的多 村料的密度；对材料的电阻率和硬度进行丁刹量。结果表明：用 晶硅薄膜)．仅在其上通过同质外延生长，就可以得到适宜用作 高压低温方法可雌制备出无氧亿相存在的陶瓷硅材料．其最佳 太阳电池的整个活性层。其次，与其它衬底材料相比-硅的储量 的烧结温度为∞O℃；样品具有较好的机械强度和硬皮，获得了 丰富，原料价格低廉，与硅薄膜具有良好的品格匹配．无热应力 适于制备多晶硅薄膜的衬底材料。 问题。本文采用高压低温方法制各出了陶瓷硅材料，对材料的 关键词：陶瓷硅材料；性能i高压；低温 制备条件及其性能进行了较为深入的研究。 中周分类号：TK513 文献标识码：A 2实验 文章编号：lool一9731(2003)02—0170—03 原材料采用单晶硅切割过程形成的硅粉末，将其收集起来 1 引 言 进行除油清洗和酸清洗。经过干燥后．用分样筛进行筛分得到 半导体材料硅是地球上储盘第二大元素，人们研究得最多． 硅粉。用沉淀法测量得到粉末的平均粒度为27pm。 工艺鼎成熟的材料。一般来讲．对太阳电池用的硅半导体材料 采用国产Ds6A一800吨六面顶压机．旁热式组装．叶蜡石密 性能的要求可低于集成电路用半导体材料。目前．硅材料的制 封传压。在约24Mra的压力及不同温度，不同时阃条件下进行 备方法主要有：区焙法(Fz)、坩埚直拉法(cG)拉制单晶硅棒及 烧结．制备出陶瓷硅材料。对制备的样品用x射线衍射(xRD) 定边喂膜生长法、边措支承直拉法和浇注法制备多晶硅锭等。 进行物相分析；表面磨光的样品用扫描电子显微镜观察了表明 硅材料的制备都是在真空或保护气体条件下．高温下使硅处于 彤貌；阿基米德法测量样品的密度；用四撩tf测试法对材料的电 熔融状态而进行单晶或多晶的生长．这一方面需要真空的获 阻率进行测量；用划痕实验法测量样品的莫氏硬废。 得，另一方面具有较大的能源消耗。生长的硅锭切割成片后用 3结果与讨论 于太阳电池的制备。在切割的过程中要有约sO％的损失．从而 使太阳电池的材料戚本增加。薄膜太阳电池使用材料很薄．材 3．1烧结温度对材料氧化的影响 料的成乖较低．是降低太阳电池成本最为有效的手段。具有稳 在200～15。0℃的范围内．对烧结温度与样晶中硅的氧化 定性和低成本优势的多晶硅薄膜太阳电池成为国际研究的热门 情况进行了实验研究。圈1和图2给出了烧结温度为200～ 课题。多品硅薄膜太阳电池可以降低材料的用量，有效的降低 太阳电池的成本。然而．由于机械强度的要求，一般来说太阳电 同烧结温度下样品的x射线衍射结果，得到si()z的最强衍射峰 池厚度低于150m就需要一种衬底材料来作为支撑”]。目前 强度与si的虽强衍射峰强度比(s·(k，si)的关系。图l和图3 使用的村底