氩气对直流弧光放电PCVD金刚石薄膜晶体特征的影响.pdf

第39卷第1期 人 工 晶 体 学 报 v。1．39N0．1 2010年2月 OFSYNTHETICCRYsTALs JOURNAL February．2010 f- 氩气对直流弧光放电 PCVD金刚石薄膜 晶体特征的影响 张湘辉1’2，汪 灵1’2，龙剑平1”，常嗣和1 (1．成都理工大学材料与化学化I学院，成都610059；2．成都理工大学金刚石薄膜实验室，成都610059) 摘要：本文采用自主研制的直流弧光放电等离子体CVD设备，在YG6硬质合金基体上进行了不同氩气流量下金刚 石薄膜的制备研究。采用SEM对金刚石薄膜的晶体特征进行了观察。结果表明，氩气对直流弧光放电等离子体 CVD金刚石薄膜的晶体特征有明显影响。在CH。／H：恒定时(0．8％)，硬质合金基体上制备的金刚石薄膜表面形 方体晶面为主一菜花状的顺序转变；当Ar流量为420—700mL／min时，金刚石晶粒的平均尺寸由1．5p．m逐步增 大到7ttm；Ar流量为700～910mL／min时，金刚石晶粒的平均尺寸由7¨肌急剧减小到纳米尺度，约50nnl。 关键词：金刚石薄膜；晶体特征；直流弧光放电等离子体CVD 中图分类号：0484 文献标识码：A Effectof Gasonthe FeatureofDiamondFilms Argon Crystal Direct Arc Method Deposited Current PCVD by Discharge ZHANG Si—hel Xiang—huil”，WANGLin91”，LONGJian-pin91”，CHANG of and Materials of (1．College ChemistryChemicalEnsineering，ChengduUniversityTechnology，Chengdu610059，China； ofDiamond of Laboratory Film。ChenlghUniversity 610059，China) 2．Key Technology，Chengdu I June (Received2009，口∞甲冽27August2009) films onallabraded Abstract：Diamondhavebeen cementedcarbide tool DCarc deposited tungstenby CVDunderdifferent flow．The featureof diamondfilms discharge．plasma argongas crystal synthesized wascharacterized electron resultsi