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用于高质量InGaNGaN MQWs制备的MOCVD配气系统.pdf
第26卷第4期 真空科学与技术学报
OFVACUUMSCIENCEANDTECHNOLOGY
2006年7、8月 CHINESEJOURNAL 313
用于高质量InGaN／GaN
MQWs制备的
MOCVD配气系统
李培成’郝跃
(西安电子科技大学微电子研究所西安71(1071)
Gas forGrowthof InGaN／GaN
Quality
SupplySystem High
Metal Chemical
Multi·-Quantum--Wellsby Organic VaporDeposition
LiPeixian+andHaoYue
(MicroelectronicInstitute，Xutian
Uni∽rsity，Xi’An，710071，Ch／na)
has InGaN／GaN usedforfabricationofmul—
AbstractAnovel of been to
type system developedgrowhighquality mulitlayers
gassupply
metal chemical istheeffectivecontrolofthe
ti-quantumwells(MQWs)byorganic vapordeposition(MOCVD)．Itsmajoradvantage steady
and withtheconventional newone withmuchbetter shown
gas system，the MQWs quality，as
pressuretemperature．Compared supply produces
inthe
photoluminescence(PL)spectra．
KeywordsMOCVD，MQWs，Gassupplysystem
摘要本文提出了一种新型的MOCVD恒流配气系统，该配气系统可有效地稳定控制温度和压力等关键工艺条件，在多
层复杂结构的生长中改善材料质量。本文给出了该配气系统同传统配气方式生长效果的比较，PL对比测试结果表明，该配气
系统在多量子阱结构的制备中具有良好的效果。
关键词金属有机化学气相淀积多量子阱配气系统
中图分类号：TN304．05，TN304．2+3，TN304．054文献标识码：A 文章编号：1672．7126(2006)呻0313—04
意义。
GaN相关的III族氮化物是近年来受到广泛关
注的宽禁带半导体材料，目前国内外的研究在材料 金属有机物化学气相淀积(MOCVD)是工业化
生长…1、理论分析[2,3j和器件研究【4J方面都取得了制备InGaN／GaNMQWs的基本技术，国际上不同的
一定的突破。尤其是在光电领域已有市场化应用， MOCVD厂商制造的设备均有自己独特的关键控制
由于其低电压，高可靠，长寿命和节能的特点，具有
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