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直流电沉积制备纳米铜丝阵列.pdf
第42卷第9期 原子能科学技术 V01．42，NO．9
2008年9月 Atomic Scienceand
Energy Technology Sep．2008
直流电沉积制备纳米铜丝阵列
周 兰，杜 凯，肖 江，张 伟，万小波”，方 瑜
(中国工程物理研究院激光聚变研究中心，四川绵阳 621900)
摘要：研究采用模板法直流电沉积制备纳米铜丝阵列。基底选用阳极三氧化二铝硬模板，膜底磁控溅射
1层薄铜层(1弘m以下)做导电底衬，再利用直流电沉积法制备出纳米铜丝阵列。由此工艺所制备的纳
米铜丝长度可达50
Mm左右、直径约为250nm，丝阵含铜量高。讨论了阴极电流密度、阴极电位、模板
类型、模板孔径等因素对纳米铜丝生长的影响，为惯性约束聚变(ICF)实验除金腔靶外的其它金属靶的
研究提供了一种新方法。
关键词：三氧化二铝膜板；直流电沉积；纳米铜丝阵列
中图分类号：TQl53．2 文献标志码：A 文章编号：1000—6931(2008)09—0769—04
ofCuNanowire DC
Synthesis Arrayby Electrodeposition
ZHOU
Lan，DUKai，XIAO Wei，WANXiao-bo。，FANGYu
Jiang，ZHANG
(ResearchCenterLaser
of Fusion，China
AcademyofEngineeringPhysics，
P．。．Box
919—987，Mianyang621900，China)
Abstract：Theto Cunanowireonanodized
techniquesynthesize array A1203templates
coatedwithathinCufilm was anddiameter
byelectrodepositionpresented．Thelength
ofCunanowiresareabout50 and250 effectsofthecurrent
Mm nm，respectively．The
cathode the sizeofthe ontheresultant
density，thepotential，andpore A1203template
nanowirewere and
discussed．
analyzed
words：A1203 nanowire
Key template；DCelectrodeposition；Cuarray
纳米材料与常规材料相比有着一系列的 等。现常用制备方法是直流电沉积和脉冲电
优良性能，作为一类先进材料已受到广泛关 沉积。电沉积技术制备的纳米丝状金属材
注，将会成为许多工业应用的理想选择[1]。金 料，如金、银、铜、镍纳米金属丝等，既可用于
属纳米丝(纳米丝金
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