直流磁控溅射制备a-SiH膜工艺及其在激光器腔面膜上的应用.pdfVIP

第35卷第3期 中 囡 激 光 V01．35。No．3 2008罐3月 CHINESEJOURNAL0FLASERS March，2008 文章编号：0258—7025(2008)03—0436—04 直流磁控溅射制备a—Si：H膜工艺及其 在激光器腔面膜上的应用 刘眷玲1’2 么艳平1 正春武2 王玉霞1 薄报学1* ，1长春壤工大学高功率半导体激光国家重点实验室，吉栋长春130022、 x 2吉林舜箍大学信怠技术学院，吉林西平136000 ， 摘要刹用直流(DC)磁控溅射方法制备氮化非晶硅(a-Si：H)薄膜。研究了氯气流量、溅射源功率对膜的沉积邃 率、氢禽董(C*)浚及光学穗熊酌影璃。遴过缮至辞交换荭终(FTIR)吸收光谱计算氢含豢，其最大激子数分数为 11％。用椭偏仪测量了膜的折射率n和消光系数女，发现a-Si：H薄膜的女值和n值都随CH的增加而减小。将优化 10～，获 的实骏结果用于半导体激光器腔面高反镜的镀制，a-Si：H薄膜在808nm波长处的n和§分别为3．2和8X 缮了良好戆激兜徐窭特缝。 关键词 薄膜；氢化非晶硅；半导体激光器；椭偏仅；折射率；消光系数 484．4 中图分类号0 文献标识码A Process ofa-Si：HThinFilms DirectCurrent Investigation Preparedby and icationonDiodeLaser Appl MagnetronSputtering CavityCoatings Liu Yao Chunwu2YuxialBoBaoxuel Chunlin91·2 Wang Wang Yanpin91 1State PowerSemiconductor KeyLaboratoryofHigh Lasers， and Science 130022，China ChangchunUniversityof Technology，Changchun，Jilin Normal 136000，China 2CollegeofInformation＆Technology，JilinUniversity，Siping，Jilin Abstract silicon(a-Si#H)thinfilmshavebeen directcurrent(DC) Hydrogenatedamorphous preparedby effectsofthe flow on rateandthe magnetronsputtering。Thehydrogenrate，sputteringpowerinfluencingdeposition characteristicsofa-Si#Hthinfilmshavebeen optical