离子束溅射制备Bi2Te3热电薄膜.pdfVIP

VoL 第28卷第1期 深圳大学学报理工版 28No．1 OF ANDENCTNf=FRING 2011年1月 JOURNALSHENZHENUNIVERSITYSCIENCE Jan．2011 文章编号：1000-2618(2011)01·0084-05 【材料科学】 离子束溅射制备Bi2Te3热电薄膜 范 平，郑壮豪，梁广兴，张东平，蔡兴民 (深圳大学物理科学与技术学院，薄膜物理与应用研究所，深圳市传感器技术重点实验室，深圳518060) 摘要：采用离子束溅射技术，溅射不同面积比例的Bi／Te二元复合靶，制备Bi，Te，热电薄膜，所制 备的薄膜Bi：Te原子比接近2：3．x射线衍射测量结果显示，薄膜的主要衍射峰与Bi：Te，标准衍射峰相同， 结果表明，薄膜都为11型半导体薄膜，电导率量级为105sm～，电学性能良好．在不同条件下制备的薄膜 ℃的薄膜功率因子最大，达1．1×10。Wm’1K～． 关键词：凝聚态物理；离子束溅射；Bi，Te，薄膜；热电材料；晶体结构；电学性能；热处理 469 中图分类号：TN304；O 文献标识码：A Bi—Te基热电材料是V-VI族半导体化合物，其进行微结构、热电性能的检测和分析． 二元合金体系热电优值约为1．0，是目前应用于热 电器件的重要材料之一．1993年，Hicks等…首次1 实验方法 提出量子阱超晶格结构设想，理论预测了Bi—Te基 Helin 热电薄膜的热电优值可达13．HNoro和Zou 实验采用FJL520型超高真空双离子束溅射仪 等旧q制备了热电优值超过1的Bi—Te基薄膜，其优溅射不同面积比例的Bi／Te二元复合靶，直接制备 值远大于其合金体系，但与理论优值差距较大．现 Bi：Te，热电薄膜．沉积时的本底真空压强为7．0× 有的Bi．Te基热电薄膜的制备方法主要有化学气相10‘4 X Pa，工作真空压强为6．010～Pa．衬底采用 沉积、电化学沉积、蒸镀法以及分子束外延等剖． 厚度为3mm、直径为30mm的k9玻璃，采用超声 用这些方法制备的热电薄膜优值比其合金体系有较 波化学清洗，沉积60 min．在离子源参数不变的情 大提高一。1引．采用化学气相沉积法和电学化法设备 况下，改变靶材面积，制备样品s。、S：和S，．为 简单且易于控制组分，但制备过程中会产生副作 进一步研究热处理条件对薄膜的影响，维持其他条 用，难以获得优质薄膜；蒸镀法成膜质量较高，但 件不变，重新制备样品S：，并在真空度高于8，0× 材料利用率低且附着性较差；分子束外延法可控性 强，薄膜生长均匀，但设备复杂且成膜速率较低． 热处理(r)，制备的样品分别为s。、s，、S。和s，． 离子束溅射技术是利用高能粒子流来沉积薄膜 S． 使用x射线能量色散谱仪EDS(Hitachi 的，其离子能量、入射角度及溅射速率等参数易于 3400N(Ⅱ))对薄膜的原子比进行表征，采用台 调节，组分控制简单且杂质少．易于控制薄膜生 Dektak 阶仪(Veeco 150)测量所制备薄膜的厚度， 长．用此方法制备的薄膜具附着性佳、散射低且重 复性优等优点¨3|．本研究使用离