离子束溅射制备CdS多晶薄膜及性能研究.pdfVIP

范平等：离子束溅射制备CdS多晶薄膜及性能研究 离子束溅射制备CdS多晶薄膜及性能研究’ 范 平，梁广兴，张东平，蔡兴民，池京容，李盛艺 (深圳大学物理科学与技术学院薄膜物理与应用研究所，广东深圳518060) 摘 要： 采用离子束溅射的方法在玻璃衬底上制备 的CdS薄膜，近年来主要报道的制备方法如射频磁控 CdS多晶薄膜，研究了沉积过程中基底温度(100～ 溅射[5]、近空间升华法¨3和电子束蒸发[71等，但是作为 400℃)与薄膜厚度(35～200nm)对其微结构与光电性 能的影响。结果表明，不同基底温度下制备的CdS薄 采用物理沉积方法制备难以保证其完整性和致密性。 膜均属于六方相多晶结构且具有(002)择优取向生长考虑离子束溅射方法是利用高能粒子流溅射靶材表 特征；随着基底温度的升高，(002)特征衍射峰强度增面，膜料原子能量可控性强，有利于薄膜结构的生成而 加，半高宽变小相应薄膜结晶度增大，有利于颗粒的生 且制备的薄膜具有良好附着性、低的散射、良好稳定性 长；分析CdS薄膜的光谱图线可知，薄膜在可见光区 和重复性等优点，但是用于制备CdS薄膜却未见报 平均透射率高于75％，光学带隙值随着基底温度升高 道；同时本课题组已实现采用离子束溅射方法制备薄 而增大(2．33～2．42eV)且薄膜电阻高达109Q；在基底膜太阳电池的吸收层CIS薄膜8]和窗口层ZnO薄膜。 温度为400℃条件下制备不同厚度的CdS薄膜，发现因此，本文尝试采用离子束溅射技术，以CdS(纯度为 (50～100nm)较薄的CdS薄膜具有较为明显的六方相 CdS多晶薄膜结构、较优光学性能和高电阻值，满足 薄膜并研究基底温度和薄膜厚度对CdS多晶薄膜结 CIS基太阳电池中缓冲层材料的基本要求。 构与性能的影响，为实现同一真空室环境下采用离子 关键词： CdS薄膜；离子束溅射：微结构；光电性能 束溅射方法完成CIS基太阳电池元器件的制作提供实 中图分类号：TK514；TB43文献标识码：A 验依据和理论基础。 文章编号：1001-9731(2010)增刊Ⅱ-0239—04 2 实验方法 1 引 言 采用FJL-520型超高真空双离子束溅射系统，沉 硫化镉(CdS)是一种重要的Ⅱ一Ⅵ族化合物直接带 隙半导体材料，室温下具有2．45eV的禁带宽度L1]，是 一种良好的窗口层和过渡层材料口]，广泛应用于光伏 电池、光敏器件、传感器、激光器和非线性集成光电器 BK7玻璃，均采有机溶剂对基片进行超声波清洗。镀 件等领域。在CulnSe：(CIS)基薄膜太阳电池应用中，膜过程分两步：首先利用辅助离子源发射出来的Ar离 n型CdS作为缓冲层材料，由于其晶格常数与CIS相 子束轰击基片，将吸附在基片表面的杂质分子进一步 近，减小了晶格失配，使得材料具有更优的光电性能， 此外CdS还起到保护层的作用，避免了后续溅射ZnO材表面残余的氧化物，打开挡板使从靶材面上溅射出 时对CIS薄膜表面的破坏，消除由此引起的电池短路 来的CdS沉积在基片上成膜。为了研究不同基底温 现象，同时通过薄膜中Cd原子扩散到CIS表面有序度下制备CdS薄膜的晶体结构与性能的变化，将基底 缺陷层进行微量掺杂，可改善异质结的特性。制备 CdS薄膜的常用方法是化学水浴沉积法(chemical对应样品号为P1，而相应不同基底温度下制备的样品 bath deposition，简称CBD)[s,4j，其优点是制备成本 低，但是CBD法是在非真空环境下湿法沉积，其成膜 过程容易受到外界的影响，而且作为配位体的氨水具 离子源溅射参数不变，衬底温度控制在400℃(该制备 有挥发性和毒性，会造成环境的危害；目前，在CIS薄 膜太阳电池的制作中，主要功能层均采用真空干法制 备，CdS则采用湿法，这种于法和湿法结合的太阳电池 制作工艺较为繁琐，不利于流水线作业。从太阳电池 的产业化方向来看，有必要深入研究干法制备高质量 D8Advance