立方相β-GaN纳米晶的气相化学反应制备研究.pdfVIP

第54卷第5期2005年5月 物 理学报 1000．．3290／2005／54(05)／2267．．05 ACTAPHYSICASINICA ⑥2005 Chin．Phys．Soc． 立方相p-GaN纳米晶的气相化学反应制备研究* 方 鲲1’2’+ 高善民3’ 邱海林1’ 曹传宝1’ 朱鹤孙1’ 1’(北京理工大学材料科学研究中心，北京100081) 2’(北京科技大学材料科学与工程学院，北京 100083) 3’(烟台师范学院化学与材料科学学院，烟台264025) (2004年1月9日收到；2004年9月23日收到修改稿) 在氮气氛中，以GaP纳米晶为原料，在相对较低的反应温度下，通过N—P取代的气相化学反应制备立方相B— GaN纳米晶．这是由于GaP纳米晶具有较大的比表面积和表面众多的空位键，使之具有较高的反应活性造成的．不 同升温速率造成不同的化学反应机理，从而生成不同形貌的B-GaN纳米晶材料． 关键词：氮化镓，立方相，纳米晶 PACC：7280E，7855E 米晶的制备提供了一种实用、简单的方法． 1．引 言 2．实 验 Ⅲ．V族化合物半导体材料在光电子器件应用 和基础物理研究方面一直占据重要位置…．由于纳 2．1．实验过程 米材料展现出诱人的应用前景旧_40，因此，近年来对 Ⅲ一V族化合物半导体纳米材料的研究也日益增 以N如P和GaCl，为反应原料，采用苯热合成方 多b’6]．氮化镓(GaN)是Ⅲ．V族化合物半导体材料中法制备GaP纳米晶，详细实验过程已另有报道¨8|． 的重要成员，一直是人们研究的热点一_91．虽说近几 8．GaN纳米晶的制备在管式炉中进行．将GaP纳米晶 年对GaN纳米晶的研究报道也在增加，但大都限于 放入石英舟中，然后放入水平放置的石英管，再放入 比较易制备的六方相纤锌矿结构的a—GaN纳米精确控温的管式炉中．加热前首先将石英管抽真空， ml／min 然后充入N，，再抽真空，反复几次后，以200 晶¨0’“o，而对立方相闪锌矿结构的8一GaN纳米晶研 究大多限于其薄膜材料¨2’13j．虽有制备13．GaN纳米 速率通入纯度为99．999％的N：，以不同的升温速率 晶报道¨4’”。，但化学反应条件比较苛刻，且产物大多 升温加热到预定温度，并保持一定时间，在继续通人 是混合晶相GaN．和a．GaN纳米晶比较，8．GaN纳米 N，的条件下自然冷却到室温，取出粉末样品检测． 晶同样具备优越物理性能，室温下带隙为3．2eV，比 2．2．样品测试 eVu a—GaN纳米晶的带隙小0．2 6|，容易进行P型掺 杂和进行激光刻蚀，更易达到蓝绿光区¨7|．因此，无 采用x射线衍射技术对粉末样品的结构进行表 论从理论研究上，还是在实际应用中，对B—GaN纳米 D／max．yA型x射线衍射仪， 征，所用仪器为Rigaku 晶进行研究都具有重要意义．