第二章 热平衡时的能带和载流子浓度exercises.docVIP

习题 2.2 基本晶体结构 1．（a）硅中两最邻近原子的距离是多少？ （b）求出硅中（110），（110），（111）三个平面上每平方厘米的原子数。 2．假如我们将金刚石晶格中原子投影到底部，原子的高度以晶格常数为单位表示，如图所示，求出图中三个原子（X，Y，Z）的高度。 题2图 3．求出简单立方晶体、面心立方晶体及金刚石晶格的最大晶体密度。 4．计算四面体的键角，即金刚石晶格的四个键中任意一对之间的角度。（提示：将四个键视为等距离的向量，此四个向量的总和为多少？取此向量方程式中沿其中每个向量方向的部分） 5．假如一平面在沿着三个直角坐标方向有2a、3a及4a三个截距，其中a为晶格常数，求出此平面的密勒指数。 6．（a）计算砷化镓的密度（砷化镓的晶格常数为5.56?，且每摩尔及镓的原子质量分别为69.72g及74.92g）。 （b）一砷化镓样品掺杂锡。假如锡替代了晶格中镓的位置，那么锡是施主还是受主？为什么？此半导体是n型还是p型？ 2.3 基本晶体生长技术 7．（a）硅或二氧化硅有较高的熔点？为什么？ （b）为什么在晶体生长中使用籽净？ （c）哪两个变量用于控制硅棒的直径？ 2.5 能带 8．硅及砷化镓随温度变化的禁带宽度方程式可表示为。其中对硅而言，Eg（0）＝1.17eV，α＝4.73×10－4eV/K，且β＝636K；对砷化镓