青铜文物腐蚀机理的研究进展.pdfVIP

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青铜文物腐蚀机理研究进展” 王菊琳吕国诚许淳淳 板 摘要.(.V通-过查阅大量的国内外有关青铜文物腐蚀机理研究的文献,汇集了学者们 对青铜文物腐蚀机理的研究方法和结果,指出了青铜病目前没有得到满意解决的 主要原因。、 关键词青铜腐蚀≈胆青键笋有i渗 中图分类号TGl74.72 文献标示码A 1引言 腐蚀是冶金的逆过程,青铜实际上处于不稳定的高能量状态,它随时都在 向低能量状态转化,最终仍要变为铜的化合物即矿石的形态。人们不会坐等这 一天的到来,而要积极地面对这一现实,采取最有效的手段,对青铜文物的腐 蚀进行不懈地研究,将传统技术与高科技相结合,寻求更先进的保护方法和措 施,减缓或终止腐蚀作用,以实现对人类文化遗产的研究和保护。 青铜文物腐蚀包括均匀腐蚀与局部腐蚀。在各种腐蚀形态中,“青铜病”是 危害最大的局部腐蚀形态,是造成青铜文物破坏的主要原因。青铜文物腐蚀产 物中常见的铜斑绿锈,部分具有保护作用,抑制了青铜文物的进一步腐蚀;但 也有一些被称作青铜病的绿色粉状锈,它的存在使青铜文物的腐蚀不断扩展, 甚至穿孔,其蔓延和发展是难以抑制的;有的研究者认为它还能传染其他青铜 文物。青铜文物保护中青铜病问题至今未得到满意解决,主要原因是把青铜病 当作一般的金属表面腐蚀来研究,没有涉及到问题的本质。尽管多年来有些研 究成果,解决了一些青铜文物保护问题,但是没有从根本上消除青铜病的困扰。 #国家“十五”科技攻关项目(No.2001BA805BOI) 十本文联系人:许淳淳,教授,北京市,100029,北京化工大学23号信箱 97 2青铜腐蚀机理概述 2.1膜电池机理 氧化亚铜(Cu:o)是典型的P型半导体,在腐蚀过程中起着电子中介传导作 用。Lucy…根据青铜腐蚀产物的排列和结构,提出“膜电池”理论,认为阴阳 极过程分别在膜(通常是Cu。0膜)的外层和内层进行。膜的下表面起阳极作用, 上表面起阴极作用。腐蚀孔内产生的CuCl在膜下表面氧化生成二价的铜离子。 膜上表面的阴极过程主要是由铜离子还原形成一价铜离子。而反应中的亚铜离 子一部分是由蚀孔内,通过膜上的空洞扩散出来,另一部分由膜上表面阴极还 原反应产生的。Lucy。1(1972年)研究了点腐蚀中CuCI结晶的生长。这些凹点显 示了其化学电池的功能。形成CuCl的赤铜矿(Cu:O)不仅充当~个阻挡层, 以减少被溶解的铜离子流失到凹点,还作为一个双性电极,参与Cu。0内表面的 阳极反应和外层表面的阴极反应。亚铜离子通过Cu。0膜扩散,并被水中的氧气 氧化形成铜离子。部分铜离子被溶解于土壤中的地下水,另一部分可能形成碱 性盐而沉淀下来,也有一些在外层隔膜表面又恢复到亚铜状态。 2.2小孑L腐蚀机理 在对青铜合金的腐蚀进行研究的过程中,May”’认为小孔内的铜阳极溶解形 为铜孔蚀的基本因素是cu。Cl。的形成,但又认为蚀孔内的cu。cl。水解产生HCI, 导致低的pH值才是最重要的。Pourbaixl976“1的实验认为,中性条件下,在铜、 赤铁矿及天然CuCI存在的腐蚀点内部,pH的中性环境将不会出现,这三种物质 将在pH=3.5,E=+270mvs。条件下处于稳定的平衡状态,在这些情况下,腐蚀反 应是可逆的;若凹点内的电极电位高于+270mvsn,凹点将长大,若电极电位低于 +270my。。,凹点将停止生长并能重新沉淀析出金属铜。在有铜、赤铁矿及天然 CuCI存在的腐蚀鼓包中,平衡值要求pH为酸性并含有大量的CuCl络合物。这 大约是4.O的溶液中,CuCI+的浓度达到铜离子的20—30%时,氯铜矿较富氯铜矿 占优势;在仍有较高级的铜络合物的条件下,如CuCl。,CuCl。,CuCIt2。,富氯铜矿 再一次变为占优势的种类。铜络合离子的浓度在溶液中可能变化很大,并很难 观测出其不同异构体的相对数量,以获取埋葬条件下任何有用的资料。 有关青铜病产生的机理,祝鸿范”3、许淳淳”1、程德润”1认为用小孔腐蚀 (或缝隙腐蚀)来描述更为合理。由于金属基体含有杂质,或由于铸造时产生 的小孔或裂缝,在这些小孔或隙缝内会形成一些缺氧的区域,在表面吸附作用 和毛细作用下,更容易在小孔或隙缝中积聚水分,从而优先产生电化学腐蚀, 外部就会有腐蚀产物形成。这种腐蚀孔一旦形成,腐蚀孔内的腐蚀速度就会加 大,从而加深局部腐蚀。孔内的腐蚀速度之所以

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