低温背景红外场景模拟研究进展.pdfVIP

2低温背景红外动态图像转换原理 红外动态图像转换原理主要分为直接辐射型和辐射调制型两种。前者成像像元自身产生辐射，辐射强 度受计算机图像生成系统的控制；后者成像像元对入射的均匀光束进行调制，输出光的强度受计算机图像 生成系统的控制。直接辐射型包括热电阻阵列…、二极管激光阵列旧1、激光扫描写入器13。、二次辐射薄膜转 换H1、红外CRT崎1等。辐射调制型包括数字微镜阵列埔1、液晶光阀“。等。在这些方法中，只有电阻阵列型和 激光组合电阻阵列型转换方式在低温背景红外动态场景产生器中得到了应用。此外，2006年乌克兰半导体 物理研究所的V．K．Malyutenko等人提出了一种新概念的半导体屏式低温动态场景转换方法博’。 2．1热电阻阵列型 20世纪80年代末产生了第一个电阻阵列红外场景产生器。场景产生器的关键元件一电阻阵列是动态 红外场景辐射源，其能够发射出红外波段的辐射能，具有相对快速的热响应。在红外场景产生器中使用的 电阻阵列有：英国宇航公司(British Technical Aerospace)的悬浮薄膜电阻阵列、美国Honeywell 表1 SBIR公司电阻阵列的性能 Tab．1Resistor ofSBIRInc． arraysperformance 辐射 名称 表观温度(K) 阵列规格 像元尺寸 幅频 上升时间 ～700K(MWIR) MIRAGEl 512x512 39umX39pm 一】7ms 20．200Hz ～500K(LWlR) MlRAGEl5 )600K 512×512 39umX39u_10ms20-200Hz STANDARD MIRAGEl5 )500K 512×512 39um×39I．tm 5n塔 20．200Hz GOSSAMER LFRA 700K(MWIR) 1024×102448pm×48um 5ms 20-200Hz 500K(LWIR) 600K(MWIR) WFRA 48um×48um5 20-2001-．Iz 768(V)X1536(H) ms 450K(LWIR) 700K(MWIR) OASIS 512X512 48umX48um 6．5ms20．200I-lz 500K(LWIR) 750KfMWIR) 20-200Hz MIlMGE m×48lam 5 II 512×512 48u ms 600K(LWlR) 2．2半导体屏可见光到红外的转换 半导体屏可见光到红外的转换原理是通过可见光吸收控制半导体Ge或Si自由载流子浓度，再通过自 由载流子浓度来控制半导体Ge或Si的定域辐射率，从而实现红外动态图像转换。该种