GaAs半导体激光器腔面膜的制备.pdfVIP

SILI I高新技术产业发展 】 磊麓一 VA GaAs半导体激光器腔面膜的制备 韩 旭 (长春理工大学 吉林 长春 130000) 摘 要：研究高反射、减反射薄膜的膜系设计、薄膜材料的选取以及薄膜的制备工艺。FAGaAs~基F~JgTXX一7ook~式真空镀膜机通过电 子柬真空蒸度技术制备出808—850nm波段的高反膜、增透膜。反射镜波长在808—850nm范围内，平均反射率R99．9％；增透膜具有高透射性 能 ，输出镜波长在808—850nm范围内，T98％。 关键词：半导体激光器；等离子体辅助电子束蒸发；高反膜 中图分类号：TN247 文献标识码lA 文章编号：1671—7597(2012)0610033—01 0前言 实验测试所获得 的测试 曲线与理论曲线对比，我们要对测试 曲 随着半导体激光器技术的发展，人们对半导体激光器功率 线进行了误差分析 ，寻求误差的来源进而通