Ge薄膜性能及其在光子计数成像探测器中的应用.pdfVIP

第22卷第5期 光学精密工程 V01．22NO．5 andPrecision 2014年5月 Optics Engineering Mav-2014 1004 文章编号 924X(2014)05—1143—07 Ge薄膜性能及其在光子计数成像探测器中的应用 李云鹏1’2，郑 鑫1，张宏吉1，王孝东1，陈波¨，曹健林1 (1．中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林长春130033； 2．中国科学院大学，北京100049) 摘要：为改善光子计数成像探测器电荷感应层的性能，提高光子计数成像系统的成像质量，分别用直流磁控溅射法(DC) 四探针表面电阻测试仪对两种方法所制备的薄膜进行了结构特征与电学性能的表征。结果表明：两种方法所制备的薄 膜均为非晶态结构，DC制备的Ge薄膜比RF制备的Ge薄膜稀疏，其不同膜厚下的电阻率均大于RF所制备的薄膜。 实验显示，薄膜越厚其电学性能受氧化影响越小，电学性能越稳定。实验对比了不同方阻下