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■电力电子器件在实际应用中，一般是由控制电路、驱动 电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。 ?通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。 ?当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增 大而可能成为器件功率损耗的主要因素。 半控型器件——晶闸管 1. 晶闸管的结构与工作原理 2. 晶闸管的基本特性 3. 晶闸管的主要参数 4. 晶闸管的派生器件 5. 典型全控型器件 半控器件—晶闸管 晶闸管的可控性 1、晶闸管承受反向阳极电压 2、晶闸管承受正向阳极电压 3、晶闸管导通后 4、晶闸管导通后 ● 晶闸管承受正向阳极电压时，当门极承受正向电压　 时，晶闸管才能由截止变为导通 ● 晶闸管导通后门极失去控制作用 ● 晶闸管导通后，当阳极电压为０或使阳极电压反向　 后，晶闸管关断 1. 晶闸管的结构与工作原理 ■除门极触发外其他几种可能导通的情况 ◆阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 ◆阳极电压上升率du/dt过高 ◆结温较高 ◆光触发 ■这些情况除了光触发由于可以保证控制电路与 主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中 之外，其它都因不易控制而难以应用于实践。只 有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。 三、晶闸管的触发电路 晶闸管工作时必须通过门极加控制电压。门极控制电路称为触发电路。触发电路一般采用集成化的移相触发电路。 所谓移相控制就是指通过改变触发脉冲产生的不同时刻（即不同相位）来改变晶闸管的导通角。 门极可关断晶闸管 ■晶闸管的一种派生器件，但 可以通过在门极施加负的脉冲 电流使其关断，因而属于全控 型器件。 ■GTO的结构和工作原理 ◆GTO的结构 ?是PNPN四层半导体结 构。 ?是一种多元的功率集成 器件，虽然外部同样引出个 极，但内部则包含数十个甚 至数百个共阳极的小GTO 元，这些GTO元的阴极和门 极则在器件内部并联在一起。 1.门极可关断晶闸管 门极可关断晶闸管 ?GTO的导通过程与普通晶闸管是一样的， 只不过导通时饱和程度较浅。 ?而关断时，给门极加负脉冲，即从门极抽 出电流，当两个晶体管发射极电流IA和IK的 减小使?1+?21时，器件退出饱和而关断。 ?GTO的多元集成结构使得其比普通晶闸管 开通过程更快，承受di/dt的能力增强。 5 典型全控型器件 1. 门极可关断晶闸管 2. 电力晶体管 3. 电力场效应晶体管 4. 绝缘栅双极晶体管 5 典型全控型器件 ■门极可关断晶闸管在晶闸管问世后不久出现。 ■20世纪80年代以来，电力电子技术进入了一个 崭新时代。 ■典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、 电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。 2. 电力晶体管 ■电力晶体管（GTR） 按英文直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、 大电流的双极结型晶体管（BJT） ■GTR的结构和工作原理 ◆与普通的双极结型晶体管基本原理是一 样的。 ◆最主要的特性是耐压高、电流大、开关 特性好。 2. 电力晶体管 ◆ GTR的结构 ?采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构，并采用集 成电路工艺将许多这种单元并联而成。 ? GTR是由三层半导体（分别引出集电极、基极和发射极）形成 的两个PN结（集电结和发射结）构成，多采用NPN结构。 2. 电力晶体管 2. 电力晶体管 ■GTR的基本特性 ◆静态特性 ?在共发射极接法时的典 型输出特性分为截止区、放 大区和饱和区三个区域。 ?在电力电子电路中， GTR工作在开关状态，即工 作在截止区或饱和区。 ?在开关过程中，即在截 止区和饱和区之间过渡时， 一般要经过放大区。 2. 电力晶体管 ◆集电极最大允许电流IcM ?规定直流电流放大系数hFE下降到规定的 1/2~1/3时所对应的Ic。 ?实际使用时要留有较大裕量，只能用到IcM的 一半或稍多一点。 ◆集电极最大耗散功率PcM ?指在最高工作温度下允许的耗散功率。 ?产品说明书中在给出PcM时总是同时给出壳温 TC，间接表示了最高工作温度。 2. 电力晶体管 ■GTR的二次击穿现象与安全工作区 ◆当