辐射感生应力弛豫对Alm Ga1-m NGaN HEMT电学特性的影响.pdfVIP

第56卷第6期2007年6月 物理学报 1000．．329012007／56(06)13393．．07 ACTAPHYSICASINICA @2007Chin．Phys．Soc． N／GaN 辐射感生应力弛豫对AImGal一m HEMT电学特性的影响* 范 隆1’+ 郝 跃2’ 1)(北京时代民芯科技有限公司，北京100076) 2)(宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安电子科技大学。西安710071) f2006年4月3日版萄l：2006年11月16日妇孕f修改稿1 HEMTs器件电学特性影响 基于电荷控制原理建立了辐射感生Al。Ga。一。N势垒层应力弛豫对Al。Ga。一。N／GaN 的解析模型，并进行了仿真分析．结果表明，对于高Al组分HEMTs器件，m。Ga。。N势垒层中辐射感生的应力弛豫 影响更为显著．辐射感生应力弛豫不但导致2DEG下降和阈值电压正向漂移，而且能够引起漏极输出电流的明显下 HEMTs辐射损伤的重要机理之一． 降．辐射感生应力弛豫是赝配AI。Ga，一。N／GaN 关键词：A1。Ga。一。N／GaN，HEMT，辐射损伤，应力弛豫 PACe：6180，7280E，7360L，7320 1．引 言 性的模型，本文针对辐射感生应力弛豫的影响，基于 电荷控制原理，从理论上建模并仿真研究了不同弛豫 程度下，赝配GaN基HEMTs的电学特性退化规律． 灿。Ga。一。N／GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs) 由于大的直接带隙和高饱和漂移速度，大导带断续 本文在建模中，引入了辐射感生应力弛豫度(以 和高的热稳性成为了微波功率器件中最有吸引力的 器件¨-4o种类，近年来受到广泛关注和研究．由于在 射所造成的应力弛豫程度，它与辐射剂量直接相关． 高温、高压和高频方面的综合性能优势，GaN基 通过采用电荷控制模型，建立了r与A1。Ga，一。N， HEMTs将成为军事航天领域应用的极佳选择．因此，GaN HEMT器件极化感生电荷间影响关系，并进一 有必要研究了解其辐射损伤机理和特性退化规律． 步得到r对器件2DEG，阈值电压、输出特性、跨导的 区别于硅MOSFET(金属一氧化物一半导体场效应 影响模型． 晶体管)和调制掺杂MODFET(调制掺杂场效应晶体仿真实验中采用了与电场相关的迁移率模型和 管)结构的辐射损伤，由于赝配HEMTs中应力引起饱和漂移速度，考虑了寄生源、漏电阻来计算HEMTs 的压电极化电场构成了对Al。Ga．．。N／GaN异质结 的输出特性．并与已发表的结果进行了比较，两者结 构中二维电子气(2DEG)量子限制的重要条件，是形果接近一致证实了我们提出模型的正确性． 成高浓度2DEG的主要因素之一，2DEG的浓度强烈 依赖于A1GaN层的应力感生的极化电场强度．因此，2．理论模型 Al。Ga。一。N和GaN间的晶格赝配在辐射作用下发生 应力弛豫成为赝配HEMTs特有的辐射损伤模式．实 2．1．载流子浓度和阈值电压 验已证实，在质子辐射作用下，赝配Al。Ga．。N／GaN HEMTs器件层结 HE