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氧化锌基TFT稳定性研究进展.pdf
第 卷第 期 微 电 子 学 ，
４１ ６ Ｖｏｌ．４１ Ｎｏ．６
年 月
２０１１ １２ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｄｅｃ．２０１１
· ·
动态综述
氧化锌基ＴＦＴ稳定性研究进展
， ， ，
吴为敬 许志平 颜 骏 赖志成
（ ， ）
华南理工大学材料科学和工程学院 广州 ５１０６４１
： ， 、
摘 要 总结了氧化锌基ＴＦＴ稳定性的最新研究进展 分析了栅偏压 栅绝缘层和背沟道影响
， 。 ，
ＴＦＴ稳定性 尤其是阈值电压稳定性的主导机制 结果表明 氧化锌基ＴＦＴ 的不稳定性主要取决
， 。
于陷阱缺陷态对可动载流子的俘获作用 以及新陷阱态的产生 总结了提高氧化锌基 ＴＦＴ 稳定
： ； ／ ， ； 。
性的三种途径 降低栅偏压 提高沟道 栅绝缘层界面质量 降低缺陷态密度 钝化保护背沟道
： ； ；
关键词 氧化锌 薄膜晶体管 显示器件
中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ）
ＴＮ４３２ Ａ １００４３３６５２０１１０６０８８８０６
－ － －
Ｐｒｏ ｒｅｓｓｉｎＲｅｓｅａｒｃｈｏｎＳｔａｂｉｌｉｔ ｏｆＺｎＯＢａｓｅｄＴｈｉｎＦｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ
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Ｓｃｈｏｏｌｏ ＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎ ｉｎｅｅｒｉｎ ＳｏｕｔｈＣｈｉｎａＵｎｉｖｅｒｓｉｔ ｏ Ｔｅｃｈｎｏｌｏ Ｇｕａｎ ｚｈｏｕ５１０６４１ Ｐ．Ｒ．Ｃｈｉｎａ
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Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｐｒｏ ｒｅｓｓｉｎｒｅｓ
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