射频磁控溅射法制备SnO2Sb薄膜的结构和光致发光性质研究.pdfVIP

第54卷第4期2005年4月 物 理 学 报 1000．．3290／2005／54(04)／1731．．05 ACTAPHYSICASINICA ⑥2005 Chin．Phys．Soc． 射频磁控溅射法制备Sn02：Sb薄膜的 结构和光致发光性质研究* 王玉恒 马 瑾+ 计 峰 余旭浒 张锡健 马洪磊 (山东大学物理与微电子学院，济南250100) (2004年6月21日收到；2004年9月2日收到修改稿) 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出锑掺杂的氧化锡(Sn02：Sb)薄膜．制备薄膜是具有纯氧化锡四方金 nm附近存在强的紫外． 红石结构的多晶膜薄，晶粒生长的择优取向为[110]．室温下光致发光测量结果表明，在392 紫光发射．研究了不同氧分压对薄膜结构及发光性质的影响，并对sn02：sb的光致发光机制进行了探索性研究． 关键词：SnO：：Sb薄膜，结构特征，光致发光，射频磁控溅射 PACC：6855，7855，8115C 1．引 言 2．实 验 近年来，由于市场对短波长发光器件的巨大需 用JPGF一450型射频磁控溅射系统在玻璃衬底 求，人们越来越关注宽禁带半导体的研究．ZnO(带上制备SnO，：Sb薄膜，系统的本底真空度为10。Pa． 隙为3．37eV，激子束缚能为60meV)和Mg掺杂的 溅射所用陶瓷靶是由纯度为99．99％SnO：和Sb：0， ZnO一直是人们的研究热点u_5o，并已有相应的发 粉末经混合、球磨后压制成坯，再经1300oC烧结而 光器件出现．最近，SnO，材料引起了人们的关 成．靶中Sb：0，的重量比是4％，用纯度为99．99％的 注。6叫1．与ZnO相比，SnO：有着更为优越的特征，首 氩气和氧气作为工作气体，由可控阀门分别控制气 先是更宽的带隙和更高的激子束缚能，室温下分别 体的流量．溅射过程中，控制真空室内氩气压强为1 是3．6eV和130meV旧1；其次是较低的制备温度和 Pa，氧分压为0．5—1．5Pa，靶与衬底间的距离为5 更高的化学稳定性．因此SnO：是一种很有前途的紫 cm．溅射功率为150W，溅射时间为25min，衬底温度 外光和蓝光材料． oC． 为100 人们对SnO，薄膜的研究主要集中在透明导电 用RIGAKU 和气敏性质方面，光学性质的研究多限于透射、反射 (CuKa辐射波长，0．154178nm)测试样品的结构．用 和折射方面¨0_”1，有关其光致发光方面的报道非常 少．制备SnO，薄膜有多种方法，如化学气相沉积法 形貌．使用TV．1900型紫外一可见光分光光度计测 nm的He—cd激 J、脉冲激光淀积 量样品的吸收谱．使用激发源为325 (CVD)n1。、溶胶凝胶法(s01．gel)n4’15 法(PLD)[163和电子束蒸发法(EBE)n等．本文中，我光器的光谱仪测量样品的室温光致发光谱． 们采用射频磁控溅射方法制备了锑掺杂的氧化锡 (SnO：：Sb)薄膜，在室温条件下发现了SnO：：Sb薄膜3．结果和讨论 在392nm附近存在强的紫外一紫光发射，研究了不 同氧分压对薄膜发光性质的影响，并对SnO：：Sb的