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* 这部分是第一章的核心内容。 * 此处的数学推导都是在费米分布函数近似的条件下进行求解的。 * 由前面迁移率的公式可知，迁移率直接与碰撞时的平均自由时间相关；而平均自由时间则取决于各种散射的机制。 * 第一章 迄今大约有60种主要的器件以及100种与主要器件相关的变异器件。4种基本半导体器件结构。 金属-半导体接触（1874）：整流接触，欧姆接触。金半场效应晶体管（MESFET）：整流接触，栅极；欧姆接触，漏极、源极。微波器件。 p-n结：半导体器件的关键基础结构；p-n-p双极型晶体管（1947），p-n-p-n结构的可控硅器件。 异质结（1957）：由两种不同材料的半导体组成；快速器件、光电器件的关键构成。 金属-氧化物-半导体结构 （MOS，1960）：MOS结构，栅极；p-n结，漏极、源极。可制作MOSFET。 * 第二章 立方晶系基本的晶体结构 简单的立方晶格 体心立方晶格 面心立方晶格 金刚石晶格结构（硅、锗） 闪锌矿晶格结构（GaAs） 密勒指数：界定一晶体中不同平面的方法。由下列步骤确定： 找出平面在三坐标轴上的截距值r、s、t（以晶格常数为单位）； 取这三个截距的倒数，并将其化简成最简单整数比， ； h、k、l为互质的整数，以（hkl）来表示单一平面的密勒指数。 * 下图为砷化镓的动量-能量关系曲线，其价带顶与导带底发生在相同动量处（p=0）。因此，电子从价带转换到导带时，不需要动量转换。 直接带隙半导体： 能量/eV 对Si、Ge而言，其动量-能量曲线中价带顶在p=0，导带最低处则在p=pC。因此，电子从价带顶转换到导带最低处时，不仅需要能量转换(≥Eg)，也需要动量转换(≥pC)。 间接带隙半导体： 能量/eV 0 pc * 用能带理论解释金属、半导体及绝缘体的电导率之间的巨大差异：电子在最高能带或最高两能带的占有率决定此固体的导电性。 价带 导带 填满的价带 空导带 部分填满的导带 Eg Eg≈9eV 金属 价带 导带 半导体 绝缘体 * 本征半导体：半导体中的杂质远小于由热产生的电子空穴。 热平衡状态：在恒温下的稳定状态，且并无任何外来干扰（如照光、压力或电场）。连续的热扰动造成电子从价带激发到导带，同时在价带留下等量的空穴。此状态下，载流子（导带电子和价带空穴）浓度不变。 统计力学，费米分布函数表示为 费米能级EF是电子占有率为1/2时的能量。 F(E)在费米能量EF附近呈对称分布。 对于能量为E的能态被电子占据的概率，可近似为： 对于能量为E的能态被空穴占据的概率 * 导带的电子浓度为 其中，NC是导带中的有效态密度。 同理，价带中的空穴浓度为 其中，NV是价带中的有效态密度。 本征载流子浓度ni：本征半导体，导带中每单位体积的电子数与价带中每单位体积的空穴数相同，即n=p=ni，ni称为本征载流子浓度， 本征费米能级Ei：本征半导体的费米能级EF。 室温下，本征半导体的费米能级Ei相当靠近禁带的中央。 * 非本征半导体：当半导体被掺入杂质时，半导体变成非本征的，而且引入杂质能级。 施主、受主、杂质能级、n型半导体、p型半导体、多子、少子概念，以及施主、受主的实例，载流子（电子、空穴）。 非简并半导体：电子或空穴的浓度分别远低于导带或价带中有效态密度，即费米能级EF至少比EV高3kT，或比EC低3kT的半导体。 室温下，完全电离，非本征半导体中多子浓度为杂质浓度。 施主浓度越高，费米能级往导带底部靠近。受主浓度越高，费米能级往价带顶端靠近近。 * 热平衡情况下，无论对于本征还是非本征半导体，该式都成立，称为质量作用定律。 只要满足近似条件（EC-EF3kT或EF-EV3kT），下式即可成立 只要满足近似条件，np的乘积为本征载流子浓度（和材料性质有关，与掺杂无关）的平方。 热平衡状态半导体的基本公式。 若施主与受主同时存在，则由较高浓度的杂质决定半导体传导类型。 费米能级调整以保持电中性，即总负电荷（包括导带电子和受主离子）必须等于总正电荷（包括价带空穴和施主离子）。 一般净杂质浓度|ND－NA|比本征载流子浓度ni大，因此 * 下图显示施主浓度ND为1015cm-3时，硅的电子浓度对温度的函数关系图。 低温，晶体中热能不足以电离所有施主杂质。有些电子被冻结在施主能级，因此电子浓度小于施主浓度。 温度上升，完全电离的情形即可达到（即nn=ND）。 温度继续上升，电子浓度基本上在一段长的温度范围内维持定值，此为非本征区。 温度进一步上升，达到某一值，此时本征载流子浓度可与施主浓度相比，超过此温度后，半导体便为本征的。 半导体变成本征时的温度由杂质浓度及禁带宽度值决定。 电子浓度n/cm-3 * 最重要的两种散射机制： 影响