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Analysis of laser intensification by nodular defects in midinfrared high reflectance coatings
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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节瘤缺陷对中红外高反射膜电场增强影响的数值分析!
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王 颖 章岳光 刘 旭 陈为兰 厉以宇
(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州 #$$% )
( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿)
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运用时域有限差分( )方法建立了薄膜中节瘤缺陷在高斯激光照射下电磁场响应模型,分析了节瘤的深
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度、起始颗粒大小和入射光角度对薄膜中电磁场的影响。结果表明:节瘤缺馅对薄膜中电场强度有显著的加强作
用,其内部峰值场强是入射光的 倍,大而浅节瘤缺陷对倾斜入射 偏振态的激光具有最高的加强效应
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关键词:多层介质薄膜,中红外,节瘤缺陷,高斯光
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强分布情况的影响,从而研究节瘤对不同入射激光
#? 引 言 的敏感程度,找出最具破坏性节瘤的特征.
为满足高功率氟化氘激光系统(输出激光的波 % ? 理论模型
长为 ? / 3)的需要,中红外激光薄膜不仅要求具有
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时域有限差分方法 自 提出以来得到广
良好的光学性能,而且还必须具备较高的抗激光损 C==
伤阈值,目前薄膜的抗激光损伤性能是限制高功率 泛应用,是近年来分析介质中电磁场传播最有效的
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激光器发展的瓶颈# . 此前,人们针对近红外波长 数值差分方法. 本文在模拟中采用的膜系是沉积在
D4) 基板上的 E9FGCH) 高反射膜,膜系结构为
的介质薄膜开展了大量的研究工作以探求薄膜损伤 %
[— ] B
% , [ ( ) ], 和 分别代表中心波长为
的机理 . 研究表明,薄膜中的微米量级的缺陷 FH I
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