集成电路制造工艺 教学课件 林明祥 第6章和第7章.pdfVIP

集成电路制造工艺 第6章　刻　　蚀 第7章　化学气相淀积 第6章　刻　　蚀 6.1　超大规模集成电路对图形转移的要求 6.2　湿法刻蚀 6.3　干法刻蚀 6.4　砷化镓的刻蚀 6.5　去胶 6.6　终点检测 6.7　习题 第6章　刻　　蚀 图6-1　刻蚀转移图形示意图 第6章　刻　　蚀 6M1.tif 6.1　超大规模集成电路对图形转移的要求 1.图形转移的保真度高 2.选择比 3.均匀性 4.刻蚀的清洁 6.2　湿法刻蚀 1)湿法腐蚀的反应产物必须是气体或能溶于刻蚀剂的物质，否则会造 成反应物的沉淀，从而影响刻蚀正常进行。 2)一般湿法腐蚀是各向同性的，刻蚀中腐蚀液不但侵入到纵向方向， 而且在侧向也会受到侵蚀。 3)湿法刻蚀过程伴有放热和放气过程。 6.2.1　二氧化硅湿法刻蚀 6.2　湿法刻蚀 6M2.tif