ZnSe电子结构和性质的第一性原理的研究.pdfVIP

中文摘要 Ⅱ．Ⅵ族半导体发光材料具有优异的光电催化及光电转化活性等特性，已广泛 应用于光学材料、太阳能材料、压电晶体和激光材料等领域．而znSe被认为是一 种较好的制备蓝绿激光器的材料，已引起世界各国科研人员的广泛关注．目前， 对znSe的电子结构、半导化掺杂、高压化途径、导电模型、缺陷态、表面／界面态 等方面已有相关的理论和实验结果，但是在高压化途径、杂质和缺陷对材料半导 化、光学性能以及相关性质的影响机理仍存在着分歧．本文采用基于密度泛函理 论框架下的平面波赝势方法，对ZIlSe材料的高压化途径、本征Zn缺陷、替代性v 掺杂、电子结构、光学性质等进行研究，为制备高质量的ZnSe半导体材料及其应 用提供理论依据．主要研究内容及结果如下： 一、系统地计算了闪锌矿结构ZnSe晶体不同压强下平衡时的晶格常数、总能量、 电子态密度分布、能带结构、光反射与吸收系数；详细讨论了高压下ZnSe的电子 结构，并且结合实验结果定性地分析了高压下的光学性质．计算结果表明：随着 压强的增大，晶格常数和键长在不断变小，总能量不断升高，Zn原子和Se原子的 态密度峰都有不同程度的变化，有向低能量移动的趋势，闪锌矿结构ZnSe晶体在 压强为26．5 Gpa时由直接带隙半导体变成了间接带隙半导体． 二、对闪锌矿结构(ZB)和岩盐结构(RS)的ZnSe在0~20Gpa高压下的几何结构、 态密度、能带结构进行了计算研究，分析了闪锌矿结构znSe和岩盐结构ZnSe的几 何结构，在此基础上，研究了ZnSe的结构相变、弹性常数、成键情况以及相变压 强下电子结构的变化机制，结果发现：通过焓相等原理得到的ZB相到RS相的相变 压强为15．3Gpa，而由弹性常数判据得到的相变压强为11．52Gpa，但在9．5Gpa 左右并没有发现简单立方(Sc)相的出现；在结构相变过程中，秽轨道杂化现象 并未消除，Zn原子的4s电子在RS相ZnSe的导电性中起主要贡献． 三、对V掺杂和Zn空位Znse闪锌矿结构进行了优化，讨论了电子结构以及zn空 位下的光学性质，对ZnSe半导体的自补偿效应和光催化性能做了探讨．结果表明： v掺杂与Zn空位ZnSe体系，并没有因为杂质或空位的存在而发生晶格畸变，V掺杂 znSe体系由于杂质原子能级的存在，费米面附近的能级连续，从而表现出明显的 金属性，Zn空位ZnSe体系由于Zn空位能级的存在，导致费米面能量降低，价带项 能级处于半满状态，电导率和发光性能大大提高，使得介电峰拓展到红外区，为 ZnSe运用在红外光催化实验中提供了理论依据． 关键词：znSe，态密度，能带结构，光学性质，密度泛函理论，相变，掺杂，zn 空位 英文摘要(Abstract) Beca瑚enlcirex纠lent of conVerSion锄d photoelectric II·Ⅵsemicondu咖r materialsha、，e actiVi吼 li曲t-emitting materials砌omer matI嘶als，s01ar饥％gymat耐als，pi睨oelectricc巧stals，laSer fields． AmZnSeisconsider。dtobeabetterc锄didatefor me of laSer pr印arationblue．舯en l粥be髓a仕rac惦drcs．eanmers’attemio也At mat舐al，砌ch m姐y preseIlt，∞me tll戗删ical觚d havebeendolle exp出emaliIlv懿tigations onele咖IlicStmC