X射线光刻技术应用现状与前景(论文资料).pdfVIP

维普资讯 第27卷 第 l2期 核 技 术 Vo1．27，No．12 2004年 l2月 NUCLEARTECHNIQUES December2OO4 X射线光刻技术应用现状与前景 谢常青 陈大鹏 刘 明 叶甜春 (中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室 北京 100029) 伊福廷 (中国科学院高能物理研究所同步辐射实验室 北京 100049) 摘要 鉴于接近式x射线光刻技术具有高分辨率、大焦深、大曝光像场、高产量、大工艺宽容度、易于扩展 到50nnl及 50nnl以下规则等诸多优点，它非常适合应用于100nnl及 100nnl以下集成电路的生产。本文首 先简要介绍了国际上x射线光刻技术(PXL)现状，再分别介绍x射线光刻技术在纳米电子学研究、单片微波 集成电路 (MMIC)生产、硅基超大规模集成电路生产中的应用现状与前景，并对国内的x射线光刻技术的近 期研究进展进行了简要介绍。 关键词 接近式x射线光刻，纳米电子学，单片微波集成电路，硅基超大规模集成电路 中图分类号 TN305．7 光刻技术的研究与开发在每一代集成电路技术 模可以自复制、光刻工艺宽容度大、工艺简单、与 的更新中一直都扮演着技术先导的角色。40多年来 Ic工艺兼容、光刻分辨力技术延伸性大、成本低、 光学光刻技术一直是硅集成电路生产的主流光刻技 技术成熟等诸多优点。 术，光学曝光波长的不断缩小和各种分辨率增强技 x射线光刻技术已经有 30多年的研究开发历 术的应用不断延续光学光刻的生命力，特别是近年 史，经过20世纪90年代的沉寂之后，近几年来国 来水浸没式193nii1光学光刻 (其数值孔径高达1．44) 际上x射线光刻技术的研究重新活跃起来，正在成 的迅猛发展更将光学光刻的分辨率延续到50nii1以 为国际光刻技术研究的热点。目前国际上从事x射 下l【J。光学光刻的主要竞争对手是下一代光刻技术 线光刻研发和应用的大学与公司如表 l所示。 (Nextgenerationlithography，NGL)，通常认为NGL 本文将分别介绍x射线光刻技术在纳米电子学 的候选者主要有接近式x射线光刻技术 (PXL)、极 研究、单片微波集成电路生产、硅基超大规模集成 端远紫投影光刻、电子束投影光刻技术、多通道电 电路生产中的应用现状与前景，并对我们国内的 子束高速直写、离子投影光刻技术等5种。不幸的 PXL近期研究进展作简要介绍。 是，自1998年以后，后3种光刻技术研究就基本停 顿了，极端远紫投影光刻尽管号称是光学光刻的最 1X射线光刻在纳米电子学研究中的应用 紧密继承者，但是其本身诸多的技术难点使其在 当集成电路的发展无法只依靠缩小器件的特征 2003年后的发展速度明显变慢。另外，除了NGL 尺寸来提高芯片的功能时，必须研究基于量子效应 外，还有许多新概念光刻技术不断被人们提出，如 的新型纳米电子器件和相应制备技术。纳米电子学 纳米压印光刻、原子纳米光刻技术、量子纠缠态光 是研究0．1一l00nii1尺度的纳米结构 (量子点)内单 刻技术、阵列光刻、基于波带片的x射线投影光刻、 个量子或量子波的运动规律或对其进行探测、识别、 193nii1无掩模光刻、x射线无掩模光刻等，但是这 控制以及单个原子、分子人工组装和自组装技术的 些新概念光刻技术 目前都还处于概念设计阶段。 一 门科学2【l。科学家们借助最新的科学理论和最先 x射线光刻 (PXL)采用软x射线波段光源，是 进的纳米加工手段，按照全新的概念来构造电子器 一 种接近式光刻，即平行人射的x光