《Effect of grain boundary on electric performance of ZnO nanowire transistor with wraparound gate》.pdfVIP

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2015-09-27 发布于浙江
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《Effect of grain boundary on electric performance of ZnO nanowire transistor with wraparound gate》.pdf

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10.1007/s11771-011-0795-2 Effectofgrainboundaryonelectricperformanceof ZnOnanowiretransistorwithwrap-aroundgate ZHOUYu-ming HEYi-gang 1.SchoolofElectricalEngineering,AnhuiUniversityofTechnology,Maanshan243002,China; 2.CollegeofElectricalandInformationEngineering,HunanUniversity,Changsha410082,China Abetraet:Anovelgrainboundary(GB)modelcharacterizedwithdifferentanglesandpositionsinthenanowisewassetup.By meansofdevicesimulator,theeffectsofgrainboundaryangleandlocationontheelectricalperformanceofZnOnanowireFET (NanowireField-EffectTransistor)withamap-aroundgateconfiguration,wereexplored.Withtheincreaseofthegrainboundary angle,theelectricalperformancedegradesgradually.Whenagrainboundarywithasmallerangle,suchas5°GB,islocatedcloseto thesourceordrainelectrode,thegrainboundaryispartiallydepletedbyanelectricfieldpeak,whichleadstothedecreaseofelectron concentrationandthedegradationoftransistorcharacteristics.Whenthe90° GBislocatedatthecenterofthenanowire,theactionof theelectricfieldisbalancedout,sotheelectricalperformanceoftransistorisbetterthanthatofthe90°GBlocatedattheother positions. ZnOnanowire;field-effecttransistor;grainboundary;electricalperformance ProjectsupportedbytheNationalNaturalScienceFoundationofChina;ProjectsupportedbytheNationalNatural ScienceFundsforDistinguishedYoungScholarsofChina 2010-05-06 2010-10-14 万方数据 l010 万方数据 1011 万方数据 44(11):2045-2051. @@[6] BOLOGNESI A, BERLIOCCHI M, MANENTI M, INOUE S, FARMAKI