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1、 PED技术的概念和特点
答:在阳极氧化基础上发展起来的一种在金属或合金表面生长陶瓷膜的新技术。处理过程是将金属或合金置于液相溶液中电解并施加一定的电压,利用电化学方法在电极试样表面产生等离子体微弧放电,在热化学、等离子体化学和电化学的共同作用下在金属表面生成陶瓷膜层。
PED技术的一般特点:
维护氧化技术是采用高压电源、大电源,在无污染的电解液中以微弧放电的形式,在基本表面生成氧化物陶瓷膜。因此,与其他表面处理技术相比,该技术具有以下特点:
(1) 等离子液相电解沉积处理过程中等离子体微弧光放电具有高能量密度,等离子体弧光放电的高密度能量,使得点通道内温度高达几百度甚至几千度、电压可达100MPa以上。这种极限条件下的反应过程也赋予了陶瓷膜用其它技术难以获得优异性能。
(2) 等离子液相电解沉积过程在液相溶液中进行,可以方便地通过改变电解液成分和调节电参数对膜层的厚度、组成、结构等就行调控,从而优化膜层性能,也易于惨杂改性。另外液相环境中使得电解液成分可以很好的和基体材料接触,被处理的基体材料不受尺寸形状限制,可对复杂形状零件内外加工,并且膜层均匀性较好。
(3) 微弧放电区瞬间高温高压,但整体集体和所处的电解液系温度不高,不会影响真个基本材料的力学性能,涂层与基地是冶金结合,结合强度较高。
(4) 对基本材料的适应性广,设备简单,操作方便,生产过程中无需气氛保护或真空条件。等离子液相电解沉积也有自己的不足,目前来看主要是耗能较大。
(5) 对基体材料的适应性广,设备简单,操作方便,生产过程中无需气氛保护或真空条件。
(6) 等离子液相电解沉积的不足,目前来看主要是耗能较大。
2、 简述PED放电过程的四个阶段
(1)阳极氧化阶段
此阶段试样表面没有火花产生,由于腐蚀的竞争过程,形成了疏松、半透明的膜,伴随着阳极析氧和阴极析氢现象的发生。
(2)火花放电阶段
在一阶段电压上升也很快,但是上升斜率要比第一阶段小一点,电流出现如前面图所示的变化,即先增大再有所减少。膜层已初现,但是较薄,且有时不均匀,有时可见基体金属光泽。通过腐蚀测试表明对集体防护作用较差。
(3)微弧阶段现象
有许多微小的电弧在阳极表面上扫描,伴随有弧光和声音的产生,这个放电使阳极表面上形成一层陶瓷膜;随着电压升高,膜层增厚;电压的上升速率进一步减小,电压升高与膜层不断生长变厚相对应。
(4)弧放电阶段
放电非常剧烈,大的电弧在膜层表面长时间的停留,使得膜层表面区域熔融体积增大,放电通道也增大,容易形成较大孔洞。
此阶段对膜层生长的贡献不大,电流维持在较高的数值且变化不大。
3、 简述PED阳极电击穿三种理论模型
电击穿理论分为两种类型
离子击穿理论认为电解液进入离子氧化物和相应的局部离子导电率的增长是离子击穿的原因。
电子击穿理论认为电子向氧化物的导电区发射及由此而产生的电子雪崩是电子击穿的原因,由电子产生的击穿简称电子击穿。
电子雪崩机理
阀金属的电击穿的产生与氧化膜的性质以及电解液的组成密切相关,电子从溶液中注入氧化膜后被电场加速,并与其它原子发生碰撞,电离出新的电子,这些电子以同样的方式促进更多的电子产生(即电子的倍增),这一过程即是“电子雪崩”。
关于电子雪崩机理的三种模型:Ikonopisov模型、连续雪崩模型、杂质中心放电模型
4、 简述PED所用电源类型及其特点
PED常用电源大致可分为四类:直流电源、单向脉冲电源、双相脉冲电源、双相脉冲交流电源及复杂型的电源。
使用直流电源得到的陶瓷膜一般是多孔的,陶瓷膜的粗糙度随电流密度和电解液浓度的提高而增加。它一般适用于简单形式的试件或制备薄的陶瓷膜。
单向脉冲电源:最主要的优点是可以通过控制脉冲的发生时间,来控制等离子体放电的时间间隔,从而可以控制处理过程中的热效应,于是陶瓷膜的组成和结构也随之发生改变。
简单的单向脉冲直流电源,由于只有一个方向电流的影响,能比较方便的研究频率、占空比等电参数的影响而且也便于研究试样作为阴极和阳极的情况,因此也比较多被采用。德国卡尔马克思工业大学采用的是单向脉冲模式。徐桂东、沈丽等研究表明在直流脉冲电源模式下具有较好的耐腐蚀性能。本研究所采用的电源其中之一是这种电源模式。
双向脉冲交流电源本身是一个交流电源,它的正负相振幅的幅值可以相同也可以不同。由于交流电源的PED过程含有阴极过程,使得所形成的陶瓷膜的性能与直流电源不同。由于交流电源的PED含有阴极过程,使得所形成的陶瓷膜的性能与直流电源不同。双向不对称脉冲电脉冲电压特有的“针尖”作用,使得微弧氧化膜的表面微孔相互重叠,膜层质量好。微弧氧化过程中,通过正、负脉冲幅度和宽度的优化调整,使微弧氧化层性能达到最佳,并能
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