Vlasov辐射器反射特性研究.pdfVIP

　第 15 卷 　第 2 期 强 激 光 与 粒 子 束 Vol. 15 ,No. 2 　 　2003 年 2 月 HIGH POWER LASER AND PARTICL E BEAMS Feb. ,2003 　 文章编号 : (2003) Vlasov 辐射器反射特性研究 袁成卫 , 　凌根深 ( 国防科学技术大学 理学院, 湖南 长沙 410073) ( ) 　　摘 　要 : 　利用矩量法导出 Vlasov 辐射器端口处各种模式模系数 振幅 的计算方法 ,并利用此方法通过 数值计算研究了斜切形 Vlasov 辐射器的反射特性 ,得到了辐射器端口反射系数和斜切角度及直径波长比之间 的关系。结果表明斜切形辐射器具有很小的反射系数 ,并从反射特性上为辐射器结构参数的选择提供了依据。 　　关键词 : 　Vlasov 辐射器 ; 　反射特性 ; 　高功率微波 ; 　天线 　　中图分类号 : 　TN82 　　　　文献标识码 : 　A 　　虚阴极振荡器、相对论返波管、回旋管等许多高功率微波源的输出波模式都是圆波导轴对称模。这种模式 无确定的极化方向 ,并且其辐射呈不理想的空心圆锥状。这样的模式若直接激励天线作为输出 ,将会有增益 低、能量分散等问题 ,而且轴对称模式的辐射相对于 TE11模式而言还有反射强、辐射效率低的问题。为了获得 高方向性的天线发射 ,必须通过波导模式变换器将其变换为易于空间发射的 TE11或 HE11模 ,或通过 Vlasov 辐 射器变为自由空间线极化的准高斯波束[1 ,2 ] 。和波导模式变换器相比较 ,Vlasov 辐射器具有结构简单、功率容 量高的特点 ,在高功率微波定向发射方面已被广泛采用。关于 Vlasov 辐射器的研究已有许多相关报道[3～6 ] , 其中关于辐射场的计算 ,其出发点多是建立在端口处场分布与无限长波导内场分布一致的基础上的。事实上 , 在端口处除入射模外 ,还会激励起其它模式 ,一些波导内的传播模会反向传播 ,形成反射波。反射波的存在不 仅降低了微波的辐射效率 ,而且在微波源内部对微波源的正常工作形成干扰 ,尤其是非轴对称模可能对微波源 有较大影响。另外 ,在高功率情况下反射波引起的驻波也是造成功率击穿的一个重要原因。 ( ) ( ) 　　为了研究 Vlasov 辐射器的反射特性 ,本文利用矩量法 MoM 导出辐射器端口处各种模式模系数 振幅 的 计算方法 ,并利用这一方法计算斜切形辐射器的反射系数 ,讨论反射特性和器件结构的关系。 1 　矩量法求模系数 1 . 1 　建立求解方程 　　斜切形辐射器如图 1 所示 ,以波导端口处 z = 0 面为口径面。z ( ) [7] 0 区域的磁场 H R 可由波导壁电流基于物理光学方法求得 1 ( ) ψ ( ) H R = J × d S 1