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有机薄膜晶体管OTFT的研究进展

刘翔等:有机薄膜晶体管(0T订)的研究进展 文章编号:1006—6268(2007)12—0054—07 刘 勇1 翔1,邓振波1,王章涛2,崔祥彦2,贾 (1.北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室,北京100044; 2.北京京东方光电科技有限公司产品技术部,北京100176) thinfilm 摘要:有机薄膜晶体管(organic 等优点,成为下一代显示技术的研究焦点。本文综述了有机薄膜晶体管的研究现状和未来的发 展趋势,比较了采用不同材料的OTFT器件的性能,总结了影响OTFT性能的两大主要因素, 即栅极绝缘层与有机有源层之间的界面特性和有机有源层与源/漏电极之间欧姆接触电阻的大 小.并详细综述了改善OTFT性能的最新方法和研究成果。 关键词:有机薄膜晶体管;界面;欧姆接触电阻 中图分类号:TN321.5文献标识码:A TheRecentResearch of ThinFIImTransistor ProgressOrganic LIU Xian91,DENGZhen—b01,WANGZhang-ta02,CUIXiang-yan2,JIAYon91 ofLuminescenceand of laboratory OpticalInformation,Ministry (1.Key of 100044;2。Product OptoelectronicsTechnology,BeijingJiaotongUniversity,Beijing BOE 100176, IntegrationDepartment,BeijingOptoelectronicsTechnologyCo.,Ltd.,Beijing China) film beenthefocusofthe te— thin transistor(OTFT)has next—generationdisplay Abstract:Organic becauseof fabrication costand etc.Thisarticle chnology simple process,low goodflexibility the reviewedthe researchdirectionsandfuturetrendof characteristicsof present OTFT,compared factors onOTFT were devicewithvariousmaterials.ThePvvomain impacting performances theinterfacebetweenthe insulatorandthe semiconductor,and summarized,including gate organic thecontactresistancebetw

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