纳米多层中的巨磁电阻效应.docVIP

納米多層中的巨磁電阻效應?????????????????????????????????? 撰稿/賴武彥(物理研究所) ???????? 一、研究背景??????? 1986年德國科學家Grunberg小組有一重要的發現，就是在Fe/Cr/Fe三層膜中觀察到兩個??? 鐵層之間通過鉻層產生耦合。1988年法國科學家Fert小組在[Fe/Cr]週期性多層膜中，觀察??? 到當施加外磁場時，其電阻下降，變化率高達50％。因此稱之為巨磁電阻效應(giant???? magnetoresistance, GMR)。??????? 1995年，人們以絕緣層Al2O3代替導體Cr，觀察到很大的隧道磁電阻(tunneling???? magnetoresistance, TMR)現象。??????? 基於GMR和TMR的發現，一個新的學科分支——磁電子學的概念被提出了。???????? 從那時起，科技人員一直堅持不懈地努力，將上述創新性發現轉化為信息技術(information??? technology, IT)產業化。1999年以GMR多層膜為磁頭的硬碟驅動器(hard diskdriver, HDD)??? 進入市場，其存儲密度達到11Gbits/in2*，而1990年僅為0.1Gbits/in2，10年中提高了100倍。??? 目前GMR的研究開發工作正方興未艾，而將上述隧道磁電阻(TMR)多層膜應用於新型隨機記憶體??? (MRAM)的研究又已經展開。?????????在Fe/Cr/Fe系統中，相鄰鐵層間存在著耦合，它隨鉻層厚度的增加而呈正負交替的振盪衰 減形式。使得相鄰鐵層磁矩從彼此反平行取向到平行取向交替變化。外磁場也可使多層膜中鐵??? 磁層的反平行磁化狀態發生變化。當通以電流時，這種磁化狀態的變化就以電阻變化的形式反??? 映出來。這就是GMR現象的物理機制。???????? 以Cr中電子為仲介的鐵層間的耦合，隨著Cr層厚度增加而振盪衰減。其平均作用範圍為??? 1~3nm，這是對Cr層厚度的一個限制。在金屬中，特別是在磁性金屬中，電子平均自由程??? (10~20nm)和自旋擴散長度(30~60nm)很短。這是對多層膜各個亞層厚度的又一限制。??????? 基於上述原因，可以說GMR和TMR現象的研究完全取決於納米材料科學的進步。任何創新或??? 轉化都以此為基礎。但是，納米尺度是如此之微小，這給多層膜的製備和微結構表徵帶來了挑??? 戰。??????? 二、主要成果??????? 本研究課題在“九五”期間，先後獲得中國科學院和國家自然科學基金委的重大項目資助。??? 自1998年實施創新工程兩年以來，磁膜和微結構課題已發表了為SCI收錄的論文30餘篇；國內外??? 學術會議邀請報告2次；專著1本。值得高興的是，我們製備的巨磁電阻多層薄膜已經達到製備??? 器件的要求。主要成果如下：??????? 1． 新的GMR多層膜??????? 1999年10月，國際核心學術刊物Journal of Magnetic Material an Magnetism出滿了??? 200卷。時值世紀之交，本卷就成了紀念專刊，冠名為“2000年之後的磁學”。美國知名學者??? Schuller發表一篇總結性評述，列出現存的20多種GMR金屬多層膜(即具有GMR和振盪的交換耦??? 合)。其中3種是由我們研究組首次發現並報導的。這裏以[Fe/Mo]多層膜為例，它的磁電阻比??? 率最高可達到12％，而且隨Mo層增厚而振盪(見圖1)。其振盪週期約為1.1nm。獨立進行的能??? 帶理論計算也給出這個結果。 ?????????????????????????? ???????????????????????? 圖1　磁電阻隨Mo層厚度振盪（室溫和4.2K）。多層膜結構是??????????????????? [Fe(1.0nm)/Mo(tMo)]30。30是週期數，tMo從0.9到4.6nm變化 ???????? 2．新現象和新途徑????????? 目前，實用多層膜是所謂的自旋閥，它由“鐵磁/非磁／鐵磁/反鐵磁”四層組成。我們在??? “鐵磁／反鐵磁”系統中發現了新的現象，即交換各向異性同樣可以在反鐵磁層的奈爾溫度遠大??? 于鐵磁層的居裏溫度的“鐵磁／反鐵” 體系中建立起來。其交換各向異性和矯頑力的溫度關係??? 完全不同於以往體系 (見圖2)。這一結果對完整理論模型的建立、自旋閥技術應用都具有深刻??? 意義。此外，還發現“鐵磁／反鐵磁”交換作用的記憶效應，即交換各向異性是磁場冷卻過程的??? 累積效果，其大小甚至符號都能通過冷卻過程中磁場的起伏而改變(見圖3)。記憶效應解釋了交