纳米ITO粉末与高密度ITO靶制备工艺的研究现状.pdfVIP

第33卷 第5期 稀有金属材料与工程 、，01．33．No．5 2004年 5期 RAREMETALMAERIALSANDENGINEERn、jG Mav2004 纳米ITo粉末及高密度ITo靶 制备工艺的研究现状 张维佳，王天民，糜碧，洪 轲 (北京航空航天大学，北京100083) Tin0xide)纳米粉末的制备方法如均相共沉淀法，水溶液共沉淀法，电解法，溶 摘 要：对铟锡氧化物IT0(Indium 胶．凝胶法，喷雾燃烧法，喷雾热分解法等以及IT0磁控溅射靶的现有几种制各工艺进行了综合评述。阐述了各种制备 1j艺过程和工作原理，比较和分析了各工艺方法的优缺点，并提出了制备高品质ITO粉末及TTO靶的努力方向。 关键词：纳米粉末；IT0：溅射靶 23．72 中图法分类号：TFl 文献标识码：A 文章编号：1002．185x(2004)05．0449·05 IT0膜导电性能；其二，低密度IT0靶面在溅射过程 1 前 言 中容易产生一些黑化物质称其为结瘤12J，这些结瘤是 近年来，笔记本电脑、掌上电脑等越来越普及， 低价氧化铟并处在靶表面腐蚀跑道周边，在溅射过程 这些电脑都采用液晶平板显示器和等离子体显示器， 中会引起飞弧现象(即局部击穿放电1，这将导致IT0 其开关速度快且体积小，质量轻，并且从经济上讲这 膜中出现杂质缺陷，并且由于等离子体辉光不稳定而 些显示器价格占电脑的l／4～l／2，更重要的是其利润占 导致溅射工艺不稳定。为此须将靶卸下来以便清除这 电脑的l／3以上。这是因为这类显示器有相当的高科 些黑色结瘤，这又影响了工艺的持续性和生产效率【8】； 技含量，而其透明电极都采用IT0膜…，该膜制备工艺 其三，低密度ITO靶热导率低，在溅射过程中由于存 又是决定其质量的关键技术之一。 在热应力而使靶开裂【9】；其四，高密度靶使用寿命长 制备IT0膜的方法很多，但要制备大面积且高性 且靶不太厚，但低密度靶必须靶厚才能提高使用寿命， 能的ITo膜，目前公认最好的方法是采用磁控溅射方 而靶面磁场强度与磁芯距离成平方反比，所以太厚的 法【2]’而所需的磁控ITO靶有铟锡In．Sn合金靶和ITo靶其表面上的磁场强度就弱，从而不能有效地进行磁 陶瓷靶2种。制备铟锡合金靶较容易，但磁控溅射IT0控溅射[9】；其五，均匀性好靶溅射出的膜其成分才均 膜在工艺上有一定难度，工艺参数对ITO膜性能太敏 匀，反之亦然。这些是我们多年实验中的体会，也是 感【3，4】，尤其是氧成分难以控制。与此相反，制备ITO普遍共识。而提高ITO靶密度取决于IT0粉末和制靶 陶瓷靶相对比较复杂，但磁控溅射ITO膜较容易，】： 工艺。对ITO粉末要求颗粒越细越好。因为粉末越细， 艺参数与膜性能依赖性不强【3，5，6】，因为靶本身就是铟 则制备出的靶越致密。若是纳米级ITO粉末并加上好 锡氧化物，氧含量控制较容易。考虑到规模生产，一 的制靶工艺，则ITO靶相对密度可达97％以上甚至 般都采用ITO陶瓷靶。为此，首先要制备出ITO粉末，99％【ⅢJ，还可降低烧结温度【…。 再经高压压制并烧结成ITO靶。 2 纳米ITo粉末的制备 一般来说，IT0膜越导电越透明其显示屏的开关 速度越快且显示效果越好。而要制备出这样高性能且 一般来说，对IT0粉末具体要求是[12]：颗粒尺寸 可规模化生产的ITO膜，就要求采用均匀性好且密度 小于100nm，比表面积大于15 m2／g并且颗粒形貌呈 高的IT0靶【3~6】。这是因为：其一，溅射出的ITO膜