Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xNAlNGaN HEMT电学和结构性质的影响.pdf

第34卷第12期 发 光 学 报 V01．34No．12 2013年12月 CHINESE OFLUMINESCENCEDec．。2013 JOURNAL 文章编号：1000-7032(2013)12—1646-05 Al组分对MOCVD制备 的AIxGal一工N／AIN／GaN HEMT电学和结构性质的影响 陈 翔1，邢艳辉h，韩军1，霍文娟1，钟林健1， 崔 明1，范亚明2，朱建军2，张宝顺2 (1．北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室，北京100124； 2．中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室，江苏苏州215123) HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表明，在一定的A1组分范围内，二维电子气(2DEG)浓度 和迁移率随着Al组分的升高而增大。然而，过高的Al组分导致HEMT材料表面粗糙度增大，2DEG迁移率降 低，该实验现象在另一方面得到了原子力显微镜测试结果的验证。在最佳Al组分(25％)范围内，获得的 680 HEMT材料的2DEG浓度和室温迁移率分别达到1．2X10”cm’2和1cm2／(V·S)，方块电阻低至310∥口。 关键词：A1组分；A1GaN；高电子迁移率晶体管；电学性质；MOCVD 中图分类号：0484 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx1646 InfluenceofAI onElectricalandStructural of Composition Properties HEMT MaterialsGrownMOCVD AIJGal一工N／AIN／GaN by CHEN Yan-hui Xian91，XINGh，HANJunl，HUOWen-juanl， ZHONG Bao—shun2 Lin-jianl，CUIMin91，FANYa．min92，ZHUJian-jun2，ZHANG ofElectronic andControl (1．College Information Engineer，KeyLaboratoryofOpto—electronicsTechnology， MinistryofEducation，BeijingUniversityofTechnology，Beijing100124，China； 2．Key NanoDevicesand Institute and Laboratoryof Applications，SuzhouofNano-technologyNano—bionics， Chinese 215123，China) AcademyofSciences，Suzhou }CorrespondingAuthor．E-mail：xingyanhui@bjut．edu．cn electron with