CoCrPtNbCrTiC玻璃盘基磁记录介质制备与性能.pdf

杨晓非等rcocfnNⅣcrT帕玻璃盘基磁记录介质制备与性能 扬晓非，游龙，李震，林更琪，李佐宜 (华中科技大学电子科学与技术系，湖北武汉430074) 摘要：采用cocrPlNb四元合金作磁记录介质，井为了提高介质性能，本文采用往传统磁性介质 使用多层膜结构c／(cocrPt)】似斟k，crTi，c，GIass substrate制备硬盘磁记录介质。实验结果表明：此种中的有些物质在溅射时进入底层和磁性层进而污染 薄膜记录介质，即使在室温下溅射，也可得到高达 薄膜介质，为了更好与磁性层匹配用crTi作底层。 240k～m的矫顽力；此类薄膜在550℃高温下，经过此膜层结构的薄膜在室温下溅射可得到240kA，m左 30min退火后，其矫顽力有较大幅度提高，并在Nb右的矫顽力．经过退火处理后，其矫顽力可高达 含量为24％(原于分数)时达到极大值360kA／m此时360kA，m。 剩磁比s=0．90，矫顽力矩形比S+=0．92，从而制成了 适于高密度或超高密度磁记录使用的薄膜介质。并详 2实验 细分析了在室温条件下溅射，此种介质矫顽力与Nb 含量变化的关系：并对退火后介质矫顽力与Nb含量 变化的关系也进行了讨论． 玻璃盘基，基板水冷，用复合靶制备薄膜．磁性层成 关键词：玻璃盘基；磁记录介质；射频磁控溅射 中图分类号：TM2l 文献标识码：A 来调整，底层成分由cr靶上放置的TI片多少来调整。 文章编号：1001．9731(2004)增刊-0767-03 本体真空度低于4×104Pa，溅射气体使用高纯Ar气， 1 引 言 钴(co)基合金作为碗盘记录介质，已得到广泛研 究【H】。玻璃盘基由于硬度高、平整性好、热膨胀系 数小、根好的抗震性能而被认为是未来高密度和超高 薄膜在真空度为2×IO。3Pa的真空退火炉下．进行退 密度硬盘记录介质的理想盘基【4邛l，但在玻璃盘基上 溅射沉积的硬盘记录介质与其在N；P／Al盘基上相比 磁性能有很大不同：一般矫顽力较低和介质噪声较 大1。而高密度硬盘记录则要求记录介质必须具有 高的平面矫顽力(在文中的风都指平面矫顽力)和大 振动样品磁强计和MTL-l型自动磁转矩仪测定。 的矩形比(矫顽力矩形比s+，剩磁矩形比s)9J。为了提 高玻璃盘基介质性能，一系列方法被应用：采用台适 3结果与讨论 组分的coPt合金[9】，使其在溅射沉积中产生很好的 晶界偏析；使用NiAl、MgO、FeAl、GaAs、crv、 在磁性层中的原子百分含量与介质矫顽力(也)和归 crw、crAl和Mo等取代cr做底层阵101，以使磁性层 与底层有较好的晶格匹配。为了进一步改善co基合 金磁性层的织构，玻璃盘基加温也通常被运用于磁记 (=2凰，帆)为磁晶各向异性等效场，凰为磁晶各向 录介质制备工艺中【¨】。 异性常数，M为饱和磁化强度。一般认为：归一化 ’基金项目：湖北省自然科学基金资助项目(2002AB032)#教育部博士学科点基金资助项目(20010487021) ’ 收稿日期：2004-05—30通讯作者：杨晓非 edu Tcl：027 cTl)． 薄膜技术研究。(E-mail：yangxlao佬】@hust 万方数据万方数据 !竺 塑 熊 丝 盟 一．一!唑生塑型堕!董． 矫顽力与磁性颗粒间交换耦合作用呈相反变化趋势， 即若前者增加后者就会减少。当Nb的台量从O增加 Oe 到1．5％(原子分数)时，矫顽力相应的从1650