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五氧化二钽薄膜的制备及其I-U特性.pdf
第 卷 第 期 真 空 科 学 与 技 术
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五氧化二钽薄膜的制备及其 ! # 特性
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（清华大学机械工程系薄膜实验室 !#$ 北京）
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摘要 本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽（ ）薄膜，俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含
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量，椭偏仪测试了 薄膜的厚度和折射率， 分析了薄膜的晶体结构，并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺
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对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体（介质膜）金属（ ）结构初步对
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