低能离子束方法制备重掺杂Fe的SiFe固溶体.pdfVIP

第25卷第8期 半 导 体 学 报 V。1．25，N。．8 CHINESE SEMICONDUCTORSAug·，2004 2004年8月 JOURNAI。0F 低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si：Fe固溶体* 刘力锋1 陈诺夫1’2 张富强1 陈晨龙1 李艳丽1 杨少延1 刘志凯1 (1中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室，北京100083) (2中国科学院力学研究所国家微重力实验室，北京100080) 底注入Fe离子，注入的样品在400C真空下进行热处理．俄歇电子能谱法(AES)对原位注入样品深度分析表明Fe 离子浅注入到p型Si单晶衬底，注入深度约为42nm．X射线衍射法(XRD)对热处理样品结构分析发现只有Si衬 底的衍射峰，没有其他新相．X射线光电子能谱法(XPs)对热处理样品表面分析发现Fe2p束缚能对应于单质Fe的 峰，没有形成Fe的硅化物．这些结果表明重掺杂Fe的Si：Fe固溶体被制备．电化学c—y法测量了热处理后样品 载流子浓度随深度的分布，发现Fe重掺杂si致使Si的导电类型从p型转为n型，si：Fe固溶体和Si衬底形成pn 结，具有整流特性． 关键词：硅；铁；低能离子束；重掺杂 PACC：8115J；7340I。；6170T 中图分类号：TN304．7 文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2004)08一0967一05 固相反应扩散然后利用离子溅射去除硅化物层的方 1 引言 法，制备了Fe杂质浓度达到百分之十几的Si：Fe 固溶体[7]，利用激光熔蒸的分子束外延法 对于Si—Fe系统的研究大多针对Fe的硅化物，尤 (LAMBE)[1 其是半导体性的硅化物p—FeSi。．p—FeSi。由于具有直 制备了重掺杂过渡金属杂质Mn的Si：Mn薄膜， 接带隙结构，禁带宽度约为o．85eV，是一种很好的光 Mn含量达到了百分之十以上． 电子材料，引起了人们的广泛兴趣[1~3]．近几年来由于 质量分离的低能离子束淀积技术可以准确控制 自旋电子学的发展，使半导体学和磁学紧密联系在一 离子的能量和种类，由于离子能量较低，注入深度 起．Si广泛应用于半导体工业，而Fe具有丰富的资源 浅，因此可以实现薄层内离子的重掺杂．本文报道利 和良好的磁性，因此对Si—Fe磁性的研究开始引起人 用低能离子束技术，制备重掺杂Fe离子的si：Fe 们的重视．在Si中引人磁性元素，使得非磁性的Si形 固溶体． 成磁体／非磁体杂和结构或者使非磁性Si成为稀磁半 导体，就可在已有的微电子器件中引入磁性的与自旋 2材料制备 有关的现象，这是非常有意义的．目前对于Si—Fe磁性 的研究包括两个方面，一方面是Si上磁性Fe薄膜的 实验采用具有质量分离的低能离子束淀积系 外延生长[4~6]，另一方面是往Si中掺杂Fe，形成Si：统．该设备具有高真空度，低淀积速率，利用磁质量 Fe稀磁半导体(DMS)17j． 分析器提纯，可以使离子达到同位素纯等优点．设备 由于过渡金属杂质在Si中的平衡固溶度都很 基本性能参数为：靶室静态真空度为5．3×10_8Pa； 低‘引，并且容易和Si反应形成过渡金属硅化物[9]，