化学水浴法制备CuxS薄膜.pdfVIP

增刊 太 阳 能 学 报 su。ph，。。t S()LARISSINICA Apr，2003 2003年4月 AfrAFNERGIAE 文章编号：0254—0096(2003)增刊一0070—03 化学水浴法制备CuxS薄膜 汤会香，严 密，张 辉，王志浩，杨德仁 (浙大学硅材料国家蕾点实验窄，杭州310027) 摘要：cuIt，是薄膜是最有前途的多晶薄膜太阳电池材料。为了用化学水浴法制备cuIns2薄膜．该文研究了化学水浴 法制备(Us薄膜．用sEM、xRD、EDx分别研究了薄膜的形貌、结构和组分，并且对薄膜的光学性质进行了讨论。 关键词：化学水浴法；cLlxs薄膜 中图分类号：TK519 文献标识码：A O引 言 Hs一十oH—s2+H，O CuJn岛薄膜是很有应用前途的一种太阳电池 铜的络合离子分解出Cu离子，硫离子与cu离 材料，其吸收系数达到105m_1左右【1，，所以做成电 子发生反应，生成硫化铜沉淀： 池所需要的厚度只有1～2Ⅲ【2，可以降低成本，并 (：u2+十s2一CuS 匿它的禁带宽度为1．50ev，对地面太阳光谱响应是 硫化铜的溶解度K…。=6．O×J006，所以硫 最好的。目前cuIn是太阳电池的最高转换效率达化铜的溶解度是非常低的，因此，用化学浴沉积的方 到12．5％。为了进行工业化生产，目前最重要的是 法很容易得到Cu。S薄膜。 如何降低电池的成本和提高效率，而化学水浴法具 1．2实验过程 有成本低、适合于制备大面积薄膜、易于实现连续生 根据化学水浴法沉积薄膜的原理，奉实验的 产、无污染、能源消耗量少等优点。我们做了一些实 Cu。s薄膜是在碱性溶液中，在ITO玻璃基体上沉 验认为：通过先生长Cu，s薄膜，然后再生艮In2S 积而制得。衬底的清洗：先用清洗液在80～90℃浸 薄膜，最后实现【沁InS的生长，这样的实验路线是 泡2天到3天，去除表面油污等有机油性物质后取 比较可行的。所以我们首先研究了cu、s薄膜的制 出，用去离子水冲洗；然后用超声波振动清洗，直至 备，这对于(：uInS的质量有着至关重要的影响，从 玻璃表面具有均匀水膜，即此时的玻璃是亲水的。 而影响电池的性能。 0 1实验原理与过程 o，2M的柠檬酸钠溶液25ml，用氨水调节pH在9 与10．5之间，再加入去离子水使得溶液的总体积保 l 1实验原理 持在250ml，在电炉上快速加热至所需的温度，置于 化学水浴法制备薄膜的原理是：当溶液中离子 已到达设定温度的恒温水浴中，加入10mlO5M的 的浓度超过它们的浓度积时，便会在模板上沉积。 硫脲，将洗好的衬底垂直置于溶液中，恒温70℃，大 制备cu，s的原理与化学法制备cds薄膜的相 约反应