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后栅结构SnO2场致发射显示器件的研制.pdf
真空科学与技术学报 第32卷第3期
188 CHINESE OFVACUUNSCIENCEANDTECHNOLOGY
JOURNAL 2012年3月
后栅结构Sn02场致发射显示器件的研制
王灵婕1·2林金阳1游玉香1叶芸1杨尊先1郭太良1’
(1．福州大学物理与信息工程学院福州350002；2．厦门理工学院数理系厦门361024)
Fabricationof FieldEmission
Back-Gate with Nanowire
DisplaySn02
Zunxianl，Guo
WangLingjiel,2,LinJiny．．g，YouYuxian91，YeYunl，Yang Tailia．91。
and
(1．CortegeofPhysicsInformation 350002，China；
Engineo妞，fud20uUnk,ersity，Fuahou
361024，China)
2．oemm,删oy地娩绷n如andt,hysics，Xiamen踟妇嘶of1酏lmology，Xiamen
AbstractThe fieldemission w幽fabricatedwiththewell—defined
back—gate aisphy(FED)panel Sn02nano-wire，
over10 nmin chemical micr憾tructuresofthe
tanlong，150 by vapordeposition(cvo)．The Sn02
diameter，grown
nanowiresWerecharacterizedwith di伍：aI砸伽．and electron FEDdevicew鹬
X—ray scanning microscopy．Theback-gate
theneomuuetedwiththe nanowire8 fromthecrucibletothecathodeviascreen field
Sn02 arrays，transferred printing．The
that is of
emissioncharacteristicsofthe devicewereevaluated．The resultsshow the capable
prototyped preliminary gate
200 SCl-celrl
theemission of1600Vanda of emission
characteristics．Besides，at锄anode V，full
regulating
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